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RFD16N05LSM9A产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RFD16N05LSM9A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RFD16N05LSM9A价格参考¥3.28-¥7.43。Fairchild SemiconductorRFD16N05LSM9A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 50V 16A(Tc) 60W(Tc) TO-252AA。您可以下载RFD16N05LSM9A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RFD16N05LSM9A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RFD16N05LSM9A 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源 (SMPS) - RFD16N05LSM9A 的低导通电阻 (Rds(on)) 和高开关速度使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电压和电流的切换,降低能量损耗。 - 常见应用:适配器、充电器、DC-DC 转换器。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为功率开关或 H 桥的一部分。 - 特点:支持快速启动/停止以及方向控制,适用于消费电子设备、家用电器和工业自动化设备。 3. 负载开关 - 在需要动态管理负载电流的系统中,RFD16N05LSM9A 可用作高效的负载开关。 - 应用场景:电池供电设备、移动设备、物联网 (IoT) 设备等。 4. LED 驱动 - 该器件可用于 LED 照明系统的恒流或恒压驱动电路中,提供精确的电流控制,确保 LED 的亮度稳定。 - 应用场景:汽车照明、背光显示、通用照明。 5. 保护电路 - RFD16N05LSM9A 可用于过流保护、短路保护和热关断保护电路中,防止系统因异常情况而损坏。 - 应用场景:电源管理系统、电池保护电路。 6. 通信设备 - 在通信基础设施中,如基站、路由器或调制解调器中,该 MOSFET 可用于信号调节、电源管理和其他关键功能模块。 7. 汽车电子 - 由于其良好的电气特性和可靠性,RFD16N05LSM9A 也可应用于汽车电子系统中,例如车身控制模块、电动车窗、座椅调节等。 总结 RFD16N05LSM9A 凭借其低导通电阻、高效率和紧凑封装,适合多种电力电子应用,尤其是在需要高效功率转换和控制的场合。具体选择需根据实际电路设计需求及工作条件进行评估。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AAMOSFET Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor RFD16N05LSM9A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RFD16N05LSM9A |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 60 W |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 47 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 47 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 47 毫欧 @ 16A,5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 其它名称 | RFD16N05LSM9ADKR |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Tc) |
| 系列 | RFD16N05 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | RFD16N05LSM9A_NL |