Datasheet下载- 型号： SIHF6N65E-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHF6N65E-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHF6N65E-GE3价格参考。VishaySIHF6N65E-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHF6N65E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHF6N65E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIHF6N65E-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有高耐压（650V）、中等电流（6A）和低导通电阻的特点。该器件广泛应用于需要高效、高可靠性和高频率开关性能的电源系统中。 主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于各类AC/DC和DC/DC转换器，如适配器、充电器和电源模块，用于提高转换效率和减小体积。 2. LED照明驱动：用于高亮度LED驱动电路，提供稳定高效的电流控制。 3. 电机控制与驱动：适用于小功率电机控制电路，如风扇、泵类设备中的功率开关。 4. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源（UPS）或太阳能逆变器中，作为DC-AC转换的功率开关元件。 5. 家电控制：如电磁炉、电饭煲等家电中的功率控制模块。 6. 工业自动化设备：在工业控制板中作为高频开关元件使用，适用于需要快速响应和高稳定性的场合。 该MOSFET采用高频特性良好的设计，适合于硬开关和软开关拓扑结构，同时具备良好的热稳定性和耐用性，适合在中高功率应用中使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 6A TO220FP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SIHF6N65E-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 820pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 600 毫欧 @ 3A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30391 |
| 供应商器件封装 | TO-220 整包 |
| 其它名称 | SIHF6N65E-GE3CT |
| 功率-最大值 | 31W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Tc） |
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