(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:4) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:10)(cid:3)(cid:8)(cid:9)(cid:4) DirectFET(cid:2)(cid:2)Power MOSFET (cid:2) (cid:2) RoHS Compliant, Halogen-Free (cid:2) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:7)(cid:8)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:9)(cid:14)(cid:11)(cid:15)(cid:8)(cid:12)(cid:13)(cid:13)(cid:9)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:12)(cid:19)(cid:20)(cid:5)(cid:13)(cid:12)(cid:9)(cid:13)(cid:4)(cid:12)(cid:6)(cid:5)(cid:21)(cid:5)(cid:12)(cid:22)(cid:23) (cid:2) Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) (cid:2) V V R (cid:2) Application Specific MOSFETs DSS GS DS(on) 100V max ±20V max 28mΩ@ 10V (cid:2)Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket Q Q V g tot gd gs(th) (cid:2) Optimized for Synchronous Rectification 14nC 4.8nC 4.0V (cid:2) Low Conduction Losses (cid:2) High Cdv/dt Immunity (cid:2) Low Profile (<0.7mm) (cid:2) Dual Sided Cooling Compatible (cid:2) (cid:2) Compatible with existing Surface Mount Techniques (cid:2) (cid:2)(cid:3) DirectFET(cid:2) ISOMETRIC Applicable DirectFET Outline and Substrate Outline (see p.7,8 for details)(cid:2) SH SJ SP MZ MN Description The IRF6645PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an Micro8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, improving previous best thermal resistance by 80%. The IRF6645PbF is optimized for primary side bridge topologies in isolated DC-DC applications, for wide range universal input Telecom applications (36V - 75V), and for secondary side synchronous rectification in regulated DC-DC topologies. The reduced total losses in the device coupled with the high level of thermal performance enables high efficiency and low temperatures, which are key for system reliability improvements, and makes this device ideal for high performance isolated DC-DC converters. Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units V Drain-to-Source Voltage 100 V DS VGS Gate-to-Source Voltage ±20 ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (cid:0) 5.7 ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (cid:0) 4.5 A ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (cid:2) 25 IDM Pulsed Drain Current (cid:3) 45 E Single Pulse Avalanche Energy (cid:4) 29 mJ AS I Avalanche Current(cid:5)(cid:3) 3.4 A AR 80 V) 12 Ωm) 70 ID = 3.4A ogea(t l 10 ID= 3.4A VVDDSS== 5800VV n)( 60 Ve 8 o T = 125°C c (DS 50 J Sour 6 RTpayc il 3400 TJ = 25°C Gaeo--, ttS 24 G 20 V 0 4 6 8 10 12 14 16 0 4 8 12 16 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) QG Total Gate Charge (nC) Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage Fig 2. Typical Total Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8) (cid:2) Click on this section to link to the appropriate technical paper. (cid:5)(cid:2)TC measured with thermocouple mounted to top (Drain) of part. (cid:3) Click on this section to link to the DirectFET Website. (cid:6)(cid:2)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. (cid:4)(cid:2)Surface mounted on 1 in. square Cu board, steady state. (cid:7) Starting TJ = 25°C, L = 5.0mH, RG = 25Ω, IAS = 3.4A. (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:12)(cid:2)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:7)(cid:15)(cid:18)(cid:16)(cid:6)(cid:10)(cid:15)(cid:18)(cid:19)(cid:2)(cid:20)(cid:17)(cid:9)(cid:16)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:17)(cid:7) (cid:21)(cid:17)(cid:22)(cid:7)(cid:23)(cid:18)(cid:7)(cid:24)(cid:2)(cid:12)(cid:25)(cid:26)(cid:2)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:27)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:11)(cid:10)(cid:3)(cid:8)(cid:9)(cid:4) Electrical Characteristic @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions BV Drain-to-Source Breakdown Voltage 100 ––– ––– V V = 0V, I = 250μA DSS GS D ΔΒV /ΔT Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.12 ––– V/°C Reference to 25°C, I = 1mA DSS J D R Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 28 35 mΩ V = 10V, I = 5.7A (cid:3) DS(on) GS D V Gate Threshold Voltage 3.0 ––– 4.9 V V = V , I = 50μA GS(th) DS GS D ΔV /ΔT Gate Threshold Voltage Coefficient ––– -12 ––– mV/°C GS(th) J I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 20 μA V = 100V, V = 0V DSS DS GS ––– ––– 250 V = 80V, V = 0V, T = 125°C DS GS J I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 nA V = 20V GSS GS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 V = -20V GS gfs Forward Transconductance 7.4 ––– ––– S V = 10V, I = 3.4A DS D Q Total Gate Charge ––– 14 20 g Q Pre-Vth Gate-to-Source Charge ––– 3.1 ––– V = 50V gs1 DS Q Post-Vth Gate-to-Source Charge ––– 0.8 ––– nC V = 10V gs2 GS Q Gate-to-Drain Charge ––– 4.8 7.2 I = 3.4A gd D Q Gate Charge Overdrive ––– 5.3 ––– See Fig. 15 godr Q Switch Charge (Q + Q ) ––– 5.6 ––– sw gs2 gd Q Output Charge ––– 7.2 ––– nC V = 16V, V = 0V oss DS GS R Gate Resistance ––– 1.0 ––– Ω G t Turn-On Delay Time ––– 9.2 ––– V = 50V, V = 10V(cid:0)(cid:3) d(on) DD GS t Rise Time ––– 5.0 ––– I = 3.4A r D t Turn-Off Delay Time ––– 18 ––– ns R =6.2Ω d(off) G t Fall Time ––– 5.1 ––– f C Input Capacitance ––– 890 ––– V = 0V iss GS C Output Capacitance ––– 180 ––– pF V = 25V oss DS C Reverse Transfer Capacitance ––– 40 ––– ƒ = 1.0MHz rss C Output Capacitance ––– 870 ––– V = 0V, V = 1.0V, f=1.0MHz oss GS DS C Output Capacitance ––– 100 ––– V = 0V, V = 80V, f=1.0MHz oss GS DS Diode Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– 25 MOSFET symbol D (Body Diode) A showing the G I Pulsed Source Current ––– ––– 45 integral reverse SM S (Body Diode)(cid:0)(cid:2) p-n junction diode. V Diode Forward Voltage ––– ––– 1.3 V T = 25°C, I = 3.4A, V = 0V (cid:3) SD J S GS t Reverse Recovery Time ––– 31 47 ns T = 25°C, I = 3.4A, V = 50V rr J F DD Q Reverse Recovery Charge ––– 40 60 nC di/dt = 100A/μs (cid:4) rr (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7) (cid:6)(cid:2)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. (cid:8)(cid:2)Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%. (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:12)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:12)(cid:2)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:7)(cid:15)(cid:18)(cid:16)(cid:6)(cid:10)(cid:15)(cid:18)(cid:19)(cid:2)(cid:20)(cid:17)(cid:9)(cid:16)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:17)(cid:7) (cid:21)(cid:17)(cid:22)(cid:7)(cid:23)(cid:18)(cid:7)(cid:24)(cid:2)(cid:12)(cid:25)(cid:26)(cid:2)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:27)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:11)(cid:10)(cid:3)(cid:8)(cid:9)(cid:4) Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units P @T = 25°C Power Dissipation (cid:0) 2.2 W D A P @T = 70°C Power Dissipation (cid:0) 1.4 D A P @T = 25°C Power Dissipation (cid:2) 42 D C TP Peak Soldering Temperature 270 °C TJ Operating Junction and -40 to + 150 T Storage Temperature Range STG Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJA Junction-to-Ambient (cid:0)(cid:3) ––– 58 RθJA Junction-to-Ambient (cid:4)(cid:3) 12.5 ––– RθJA Junction-to-Ambient (cid:5)(cid:3) 20 ––– °C/W RθJC Junction-to-Case (cid:2)(cid:3) ––– 3.0 RθJ-PCB Junction-to-PCB Mounted 1.0 ––– 100 D = 0.50 )A 10 0.20 J h 0.10 Z t e( 0.05 Ri (°C/W) τi (sec) Raeponss l 1 00..0021 τJτJτ1τ1 R1R1 τ2τR22R2 Rτ33Rτ33 τR4τ4R44 τR5τ5R55 τ(cid:2)CτC 011...605646761732 000...000000004083698666 m Ci= τi/Ri 29.2822 0.686180 her 0.1 Ci= τi/Ri 25.4550 32 T Notes: SINGLE PULSE 1. Duty Factor D = t1/t2 ( THERMAL RESPONSE ) 2. Peak Tj = Pdm x Zthja + Ta 0.01 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 t , Rectangular Pulse Duration (sec) 1 Fig 3. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (cid:2) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7) (cid:4)(cid:2)Surface mounted on 1 in. square Cu board, steady state. (cid:10)(cid:2)Mounted on minimum footprint full size board with metalized (cid:5) T measured with thermocouple incontact with top (Drain) of part. back and with small clip heatsink. (cid:9)(cid:2)UsCed double sided cooling, mounting pad with large heatsink. (cid:11) Rθ is measured at TJ of approximately 90°C. (cid:3)(cid:4)Surface mounted on 1 in. square Cu (cid:5)(cid:2)(cid:28)(cid:10)(cid:23)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:29)(cid:2)(cid:16)(cid:10)(cid:2)(cid:18)(cid:2)(cid:30)(cid:31) (cid:2)with (cid:2)(cid:5) Mounted on minimum board (still air). small clip heatsink (still air) footprint full size board with metalized back and with small clip heatsink (still air) (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:27)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:12)(cid:2)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:7)(cid:15)(cid:18)(cid:16)(cid:6)(cid:10)(cid:15)(cid:18)(cid:19)(cid:2)(cid:20)(cid:17)(cid:9)(cid:16)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:17)(cid:7) (cid:21)(cid:17)(cid:22)(cid:7)(cid:23)(cid:18)(cid:7)(cid:24)(cid:2)(cid:12)(cid:25)(cid:26)(cid:2)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:27)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:11)(cid:10)(cid:3)(cid:8)(cid:9)(cid:4) 100 100 VGS VGS TOP 15V TOP 15V 10V 10V A) 8.0V A) 8.0V n(t BOTTOM 76..00VV n(t BOTTOM 76..00VV e e urr 10 urr C C e e c c ur ur 10 o o S S 6.0V o- o- an-ti 1 6.0V an-ti Dr Dr ,D ,D I I ≤60μs PULSE WIDTH ≤60μs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 150°C 0.1 1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 V , Drain-to-Source Voltage (V) V , Drain-to-Source Voltage (V) DS DS Fig 4. Typical Output Characteristics Fig 5. Typical Output Characteristics 100 2.0 VDS = 10V ID = 5.7A Α()n t ≤60μs PULSE WIDTH ed) VGS = 10V e z CSouuecrrr 10 TTTJJJ === 12-45500°°C°CC mNoa(rilon) 1.5 o- S( n-t 1 RD Dari ac l 1.0 , D pyi I T 0.1 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 0.5 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160 V , Gate-to-Source Voltage (V) GS T , Junction Temperature (°C) J Fig 6. Typical Transfer Characteristics Fig 7. Normalized On-Resistance vs. Temperature 10000 60 VGS = 0V, f = 1 MHZ T = 25°C Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED V = 7.0V A GS C = C rss gd VGS = 8.0V C = C + C oss ds gd 50 V = 10V Fanepcc()ti 1000 CCoissss Ω)m(DSon() 40 VGGSS = 15V a R CCap, 100 Crss Tpayc il 30 10 20 1 10 100 0 10 20 30 40 50 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) ID, Drain Current (A) Fig 8. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage Fig 9. Typical On-Resistance vs. Drain Current (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)!(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:12)(cid:2)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:7)(cid:15)(cid:18)(cid:16)(cid:6)(cid:10)(cid:15)(cid:18)(cid:19)(cid:2)(cid:20)(cid:17)(cid:9)(cid:16)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:17)(cid:7) (cid:21)(cid:17)(cid:22)(cid:7)(cid:23)(cid:18)(cid:7)(cid:24)(cid:2)(cid:12)(cid:25)(cid:26)(cid:2)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:27)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:11)(cid:10)(cid:3)(cid:8)(cid:9)(cid:4) 100.0 1000 OPERATION IN THIS AREA Current (A) 10.0 TTTJJJ === 12-45500°°C°CC CAuen)rr(t 100 LIMITED BY RDS(on) Drain ouecr 10 100μsec se So- ever 1.0 an-ti 1msec , RSD Dr, D 1 TA = 25°C I I Tj = 150°C 10msec VGS = 0V Single Pulse 0.1 0.1 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 0.1 1.0 10.0 100.0 1000.0 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) VDS , Drain-toSource Voltage (V) Fig 10. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage Fig11. Maximum Safe Operating Area 6.0 6.0 V) 5.5 5.0 e( g a 5.0 A) otl DCanuenr(rr , t iID 234...000 GVaehehodhs()r t t tlS 3344....0505 IIIIDDDD ==== 21155..0000μAmμAAA 1.0 G V 2.5 0.0 2.0 25 50 75 100 125 150 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 TJ , Ambient Temperature (°C) TJ , Temperature ( °C ) Fig 12. Maximum Drain Current vs. Ambient Temperature Fig 13. Typical Threshold Voltage vs. Junction Temperature 120 mJ) I D geyr( 100 T O P 21..45AA n BOTTOM 3.4A E e 80 h c n a al v 60 A e s ul P 40 e gl n Si 20 S, A E 0 25 50 75 100 125 150 Starting TJ, Junction Temperature (°C) Fig 14. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)"(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:12)(cid:2)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:7)(cid:15)(cid:18)(cid:16)(cid:6)(cid:10)(cid:15)(cid:18)(cid:19)(cid:2)(cid:20)(cid:17)(cid:9)(cid:16)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:17)(cid:7) (cid:21)(cid:17)(cid:22)(cid:7)(cid:23)(cid:18)(cid:7)(cid:24)(cid:2)(cid:12)(cid:25)(cid:26)(cid:2)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:27)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:11)(cid:10)(cid:3)(cid:8)(cid:9)(cid:4) Id Vds Vgs L VCC DUT Vgs(th) 0 1K S Qgs1 Qgs2 Qgd Qgodr Fig 15a. Gate Charge Test Circuit Fig 15b. Gate Charge Waveform V(BR)DSS 15V tp L DRIVER VDS RG D.U.T + - VDD IAS A 2(cid:23)0(cid:2)V(cid:3) tp 0.01Ω IAS Fig 16b. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 16c. Unclamped Inductive Waveforms (cid:10) (cid:2) (cid:9) V (cid:2)(cid:3) DS 90% (cid:9) (cid:22)(cid:3) (cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:12)(cid:14)(cid:12) (cid:10) (cid:22) +(cid:9) 10% - (cid:2)(cid:2) V GS (cid:15)(cid:16)(cid:9) t t t t (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:9)≤ 1 (cid:15)(cid:7) d(on) r d(off) f (cid:2)(cid:5)(cid:13)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:13)(cid:20)(cid:21)(cid:9)≤ 0.1 % Fig 17a. Switching Time Test Circuit Fig 17b. Switching Time Waveforms (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:25)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:12)(cid:2)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:7)(cid:15)(cid:18)(cid:16)(cid:6)(cid:10)(cid:15)(cid:18)(cid:19)(cid:2)(cid:20)(cid:17)(cid:9)(cid:16)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:17)(cid:7) (cid:21)(cid:17)(cid:22)(cid:7)(cid:23)(cid:18)(cid:7)(cid:24)(cid:2)(cid:12)(cid:25)(cid:26)(cid:2)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:27)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:11)(cid:10)(cid:3)(cid:8)(cid:9)(cid:4) Driver Gate Drive (cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:9)(cid:11) P.W. Period D = + P.W. Period ( (cid:4) (cid:26)(cid:11)(cid:21)(cid:19)(cid:5)(cid:11)(cid:13)(cid:9)(cid:27)(cid:18)(cid:16)(cid:20)(cid:5)(cid:13)(cid:9)(cid:26)(cid:20)(cid:25)(cid:7)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:21)(cid:18)(cid:13)(cid:11)(cid:20)(cid:25)(cid:7) VGS=10V • (cid:9)(cid:27)(cid:20)(cid:28)(cid:9)(cid:3)(cid:13)(cid:21)(cid:18)(cid:16)(cid:9)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:5)(cid:19)(cid:13)(cid:18)(cid:25)(cid:19)(cid:8) (cid:9)(cid:9) • (cid:22)(cid:21)(cid:20)(cid:5)(cid:25)(cid:12)(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:18)(cid:25)(cid:8) - (cid:9)(cid:9) • (cid:27)(cid:20)(cid:28)(cid:9)(cid:27)(cid:8)(cid:18)(cid:29)(cid:18)(cid:30)(cid:8)(cid:9)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:5)(cid:19)(cid:13)(cid:18)(cid:25)(cid:19)(cid:8) (cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:26)(cid:5)(cid:21)(cid:21)(cid:8)(cid:25)(cid:13)(cid:9)(cid:31)(cid:21)(cid:18)(cid:25)(cid:7) (cid:20)(cid:21)!(cid:8)(cid:21) D.U.T. ISDWaveform + (cid:3) Reverse (cid:5) Recovery Body Diode Forward - + Current Current - di/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:2) dv/dt VDD (cid:9) (cid:10)(cid:22) • (cid:12)(cid:11)"(cid:12)(cid:13)(cid:9)(cid:19)(cid:20)(cid:25)(cid:13)(cid:21)(cid:20)(cid:6)(cid:6)(cid:8)(cid:12)(cid:9)#(cid:16)(cid:9)$(cid:2) (cid:2)(cid:2) Re-Applied • (cid:2)(cid:21)(cid:11)%(cid:8)(cid:21)(cid:9)(cid:7)(cid:18)!(cid:8)(cid:9)(cid:13)(cid:16)&(cid:8)(cid:9)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:2)’(’(cid:31)’ + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:24)(cid:3)(cid:4)(cid:9)(cid:19)(cid:20)(cid:25)(cid:13)(cid:21)(cid:20)(cid:6)(cid:6)(cid:8)(cid:12)(cid:9)#(cid:16)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:13)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:13)(cid:20)(cid:21)(cid:9))(cid:2)) - (cid:24)I(cid:25)n(cid:12)d(cid:5)uc(cid:19)t(cid:13)o(cid:20)r(cid:21) (cid:9)C(cid:26)u(cid:5)r(cid:21)e(cid:21)n(cid:8)t(cid:25)(cid:13) • (cid:2)’(’(cid:31)’(cid:9)*(cid:9)(cid:2)(cid:8)%(cid:11)(cid:19)(cid:8)(cid:9)((cid:25)(cid:12)(cid:8)(cid:21)(cid:9)(cid:31)(cid:8)(cid:7)(cid:13) Ripple ≤ 5% ISD ((cid:2)(cid:9) (cid:2)(cid:17)(cid:2)(cid:18)(cid:9)(cid:2)(cid:19)(cid:4)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:2)(cid:21)(cid:6)(cid:25)(cid:6)(cid:26)(cid:2)(cid:11)(cid:6)(cid:25)(cid:23)(cid:24)(cid:6)(cid:7) (cid:22)(cid:3) Fig 18. $(cid:6)(cid:10)(cid:29)(cid:17)(cid:2)(cid:20)(cid:17)%(cid:17)(cid:7)&(cid:17)(cid:2)(cid:20)(cid:17)(cid:9)(cid:10)%(cid:17)(cid:7)(cid:24)(cid:2)’(cid:17)&(cid:16)(cid:2)(cid:31)(cid:6)(cid:7)(cid:9)(cid:23)(cid:6)(cid:16)(cid:2)for N-Channel HEXFET(cid:2)(cid:2)Power MOSFETs (cid:2) DirectFET Substrate and PCB Layout, SJ Outline (Small Size Can, J-Designation). Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET. This includes all recommendations for stencil and substrate designs. D D S G S D D G = GATE D = DRAIN S = SOURCE (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:2)(cid:8)(cid:4)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:10)(cid:6)(cid:2)(cid:11)(cid:4)(cid:12)(cid:5)(cid:2)(cid:13)(cid:14)(cid:9)(cid:9)(cid:6)(cid:15)(cid:5)(cid:2)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:15)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:22)(cid:6)(cid:17)(cid:12)(cid:6)(cid:2)(cid:9)(cid:6)(cid:23)(cid:6)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:4)(cid:2)(cid:24)(cid:25)(cid:2)(cid:18)(cid:6)(cid:26)(cid:12)(cid:19)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:17)(cid:5)(cid:2)(cid:10)(cid:5)(cid:5)(cid:21)(cid:7)(cid:27)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:18)(cid:28)(cid:19)(cid:9)(cid:23)(cid:28)(cid:13)(cid:4)(cid:11)(cid:27)(cid:21)(cid:17)(cid:13)(cid:29)(cid:17)(cid:20)(cid:6) (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)#(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:12)(cid:2)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:7)(cid:15)(cid:18)(cid:16)(cid:6)(cid:10)(cid:15)(cid:18)(cid:19)(cid:2)(cid:20)(cid:17)(cid:9)(cid:16)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:17)(cid:7) (cid:21)(cid:17)(cid:22)(cid:7)(cid:23)(cid:18)(cid:7)(cid:24)(cid:2)(cid:12)(cid:25)(cid:26)(cid:2)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:27)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:11)(cid:10)(cid:3)(cid:8)(cid:9)(cid:4) (cid:2) DirectFET Outline Dimension, SJ Outline (Small Size Can, J-Designation). Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET. This includes all recommendations for stencil and substrate designs. DIMENSIONS METRIC IMPERIAL CODE MIN MAX MIN MAX A 4.75 4.85 0.187 0.191 B 3.70 3.95 0.146 0.156 C 2.75 2.85 0.108 0.112 D 0.35 0.45 0.014 0.018 E 0.58 0.62 0.023 0.024 F 0.58 0.62 0.023 0.024 G 0.68 0.72 0.027 0.028 H 0.68 0.72 0.027 0.028 J 0.23 0.27 0.009 0.010 K 0.95 1.05 0.037 0.041 L 2.25 2.35 0.089 0.093 M 0.59 0.70 0.023 0.028 P 0.08 0.17 0.003 0.007 R 0.020 0.080 0.0008 0.0031 (cid:2) DirectFET Part Marking GATE MARKING LOGO PART NUMBER BATCH NUMBER DATE CODE Line above the last character of the date code indicates "Lead-Free" (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:2)(cid:8)(cid:4)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:10)(cid:6)(cid:2)(cid:11)(cid:4)(cid:12)(cid:5)(cid:2)(cid:13)(cid:14)(cid:9)(cid:9)(cid:6)(cid:15)(cid:5)(cid:2)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:15)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:22)(cid:6)(cid:17)(cid:12)(cid:6)(cid:2)(cid:9)(cid:6)(cid:23)(cid:6)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:4)(cid:2)(cid:24)(cid:25)(cid:2)(cid:18)(cid:6)(cid:26)(cid:12)(cid:19)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:17)(cid:5)(cid:2)(cid:10)(cid:5)(cid:5)(cid:21)(cid:7)(cid:27)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:18)(cid:28)(cid:19)(cid:9)(cid:23)(cid:28)(cid:13)(cid:4)(cid:11)(cid:27)(cid:21)(cid:17)(cid:13)(cid:29)(cid:17)(cid:20)(cid:6) (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2))(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:12)(cid:2)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:7)(cid:15)(cid:18)(cid:16)(cid:6)(cid:10)(cid:15)(cid:18)(cid:19)(cid:2)(cid:20)(cid:17)(cid:9)(cid:16)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:17)(cid:7) (cid:21)(cid:17)(cid:22)(cid:7)(cid:23)(cid:18)(cid:7)(cid:24)(cid:2)(cid:12)(cid:25)(cid:26)(cid:2)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:27)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:11)(cid:10)(cid:3)(cid:8)(cid:9)(cid:4) (cid:2) DirectFET Tape & Reel Dimension (Showing component orientation). Loaded Tape Feed Direction DIMENSIONS METRIC IMPERIAL NOTE: Controlling dimensions in mm CODE MIN MAX MIN MAX Std reel quantity is 4800 parts. (ordered as IRF6645TRPBF). For 1000 parts on 7" A 7.90 8.10 0.311 0.319 reel, order IRF6645TR1PBF B 3.90 4.10 0.154 0.161 C 11.90 12.30 0.469 0.484 REEL DIMENSIONS D 5.45 5.55 0.215 0.219 STANDARD OPTION (QTY 4800) TR1 OPTION (QTY 1000) E 4.00 4.20 0.158 0.165 METRIC IMPERIAL METRIC IMPERIAL F 5.00 5.20 0.197 0.205 G 1.50 N.C 0.059 N.C CODE MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX H 1.50 1.60 0.059 0.063 A 330.0 N.C 12.992 N.C 177.77 N.C 6.9 N.C B 20.2 N.C 0.795 N.C 19.06 N.C 0.75 N.C C 12.8 13.2 0.504 0.520 13.5 12.8 0.53 0.50 D 1.5 N.C 0.059 N.C 1.5 N.C 0.059 N.C E 100.0 N.C 3.937 N.C 58.72 N.C 2.31 N.C F N.C 18.4 N.C 0.724 N.C 13.50 N.C 0.53 G 12.4 14.4 0.488 0.567 11.9 12.01 0.47 N.C H 11.9 15.4 0.469 0.606 11.9 12.01 0.47 N.C (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:2)(cid:8)(cid:4)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:10)(cid:6)(cid:2)(cid:11)(cid:4)(cid:12)(cid:5)(cid:2)(cid:13)(cid:14)(cid:9)(cid:9)(cid:6)(cid:15)(cid:5)(cid:2)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:15)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:22)(cid:6)(cid:17)(cid:12)(cid:6)(cid:2)(cid:9)(cid:6)(cid:23)(cid:6)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:4)(cid:2)(cid:24)(cid:25)(cid:2)(cid:18)(cid:6)(cid:26)(cid:12)(cid:19)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:17)(cid:5)(cid:2)(cid:10)(cid:5)(cid:5)(cid:21)(cid:7)(cid:27)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:18)(cid:28)(cid:19)(cid:9)(cid:23)(cid:28)(cid:13)(cid:4)(cid:11)(cid:27)(cid:21)(cid:17)(cid:13)(cid:29)(cid:17)(cid:20)(cid:6) Revision History Date Comments 12/10/2012 Updated package outline, on page 8. 2/26/2013 Updated PD @TA = 25C from 3W to 2.2W, on page 3. . This product has been designed and qualified for the Consumer market. Qualification Standards can be found on IR’s Web site. (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5)(cid:3)(cid:6)(cid:7)(cid:5)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:12)(cid:11)(cid:3)(cid:4)(cid:12)(cid:14)(cid:6)(cid:8)(cid:5)(cid:8)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:10)(cid:11)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:14)(cid:5)(cid:11)(cid:18)(cid:3)(cid:6)(cid:19)(cid:10)(cid:5)(cid:20)(cid:12)(cid:4)(cid:18)(cid:14)(cid:15)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:14)(cid:4)(cid:12)(cid:11)(cid:10)(cid:21) (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:6)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:10)(cid:14)(cid:15)(cid:13)(cid:5)(cid:16)(cid:12)(cid:5)(cid:2)(cid:17)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:3)+(cid:2),(cid:17)-(cid:23)(cid:19)%(cid:17)(cid:29)(cid:18)(cid:2) (cid:19)%(cid:29)(cid:26)(cid:2).(cid:19)(cid:2),(cid:17)/(cid:23)(cid:15)(cid:29)(cid:10)(cid:26)(cid:2)(cid:31)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:8)(cid:10)(cid:7)(cid:15)(cid:6)(cid:18)(cid:2)*(cid:13)(cid:12)!"(cid:26)(cid:2)0,1 ’(cid:10)(cid:2)(cid:9)(cid:10)(cid:15)(cid:16)(cid:18)(cid:9)(cid:16)(cid:2)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:7)(cid:15)(cid:18)(cid:16)(cid:6)(cid:10)(cid:15)(cid:18)(cid:19)(cid:2)(cid:20)(cid:17)(cid:9)(cid:16)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:17)(cid:7)(cid:26)(cid:2)-(cid:19)(cid:17)(cid:18)&(cid:17)(cid:2)%(cid:6)&(cid:6)(cid:16)(cid:2)2(cid:16)(cid:16)-344(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)4(cid:4)2(cid:10)(cid:16)(cid:10)5(cid:9)(cid:18)(cid:19)(cid:19)4 (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)*(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:12)(cid:2)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:7)(cid:15)(cid:18)(cid:16)(cid:6)(cid:10)(cid:15)(cid:18)(cid:19)(cid:2)(cid:20)(cid:17)(cid:9)(cid:16)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:17)(cid:7) (cid:21)(cid:17)(cid:22)(cid:7)(cid:23)(cid:18)(cid:7)(cid:24)(cid:2)(cid:12)(cid:25)(cid:26)(cid:2)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:27)

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRF6645TRPBF