Datasheet下载- 型号： FQD5N20LTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD5N20LTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD5N20LTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD5N20LTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD5N20LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD5N20LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD5N20LTM 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号具有以下特点和应用场景： 1. 产品特性 - 电压等级：FQD5N20LTM 的漏源极耐压（VDS）为 200V，适用于中高压场景。 - 电流能力：连续漏极电流（ID）可达 4.7A（在 25°C 条件下），能够满足较高功率需求。 - 低导通电阻：其导通电阻（RDS(on)）较低，在 VGS = 10V 时约为 1.9Ω，有助于减少功率损耗。 - 快速开关性能：具备较低的栅极电荷（Qg），支持高频开关应用。 - 封装形式：通常采用 TO-220 或其他散热性能良好的封装，便于安装和散热。 --- 2. 典型应用场景 （1）电源管理 - 用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器等电路中，作为主开关器件或同步整流元件。 - 在电池充电器中，用作电流控制或保护开关。 （2）电机驱动 - 驱动小型直流电机或步进电机，实现速度调节和方向控制。 - 适用于家用电器（如风扇、水泵）中的电机控制电路。 （3）负载切换 - 在工业自动化设备中，用作负载切换开关，控制灯具、加热器或其他高电压负载的通断。 - 适用于汽车电子系统中的继电器替代方案，例如车窗升降器或座椅调节器。 （4）保护电路 - 在过流保护、短路保护电路中充当电子开关。 - 用于防止反向电压或电流对敏感设备造成损害。 （5）逆变器与变频器 - 用于设计小型逆变器或变频器，将直流电转换为交流电，供家用电器或工具使用。 （6）音频放大器 - 在某些音频放大器电路中，用作输出级开关或功率放大元件。 --- 3. 优势总结 - 高耐压能力使其适合多种中高压应用场景。 - 较低的导通电阻和栅极电荷提高了效率和响应速度。 - 稳定性和可靠性强，适应恶劣工作环境。 综上所述，FQD5N20LTM 广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域，是一款性能优异的 N 沟道 MOSFET。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAKMOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.8 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD5N20LTMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQD5N20LTM |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 90 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 325pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.2nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 1.9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FQD5N20LTMCT |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 3.35 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A （Tc） |
| 系列 | FQD5N20 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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