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产品简介:
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STMicroelectronics(意法半导体)的STFW60N65M5是一款650V、60A的MOSFET,采用先进的MDmesh M5技术,具有低导通损耗和优异的开关性能。该器件广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源系统中。 主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):适用于服务器电源、电信电源、工业电源等高效率、高密度电源设计。 2. DC-DC转换器:用于各类电源模块和嵌入式系统中的电压转换。 3. 逆变器与UPS系统:适用于不间断电源(UPS)和太阳能逆变器等需要高效电能转换的场合。 4. 电机驱动:可用于工业电机控制、电动工具和白色家电中的功率控制。 5. 电动汽车相关应用:如车载充电器(OBC)和DC-DC变换模块,满足汽车电子对高可靠性和高效率的需求。 该MOSFET具有良好的热稳定性和耐用性,适合在高温环境下工作,是高性能电源设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH TO-3PF/ISOWATT 218MOSFET N-ch 650 V 0.049 Ohm 46 A MDmesh |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 46 A |
| Id-连续漏极电流 | 46 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STFW60N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STFW60N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 79 W |
| Pd-功率耗散 | 79 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 59 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 59 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/-25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6810pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 139nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 59 毫欧 @ 23A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3PF |
| 其它名称 | 497-11325-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251354?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 79W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3PF |
| 封装/箱体 | TO-3PF-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 46A (Tc) |
| 系列 | STFW60N65M5 |
| 配置 | Single |