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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRL630STRR
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL630STRR由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL630STRR价格参考。VishayIRL630STRR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRL630STRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRL630STRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRL630STRR 是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于低电压、大电流应用的单MOSFET器件。该型号广泛应用于需要高效开关性能和低导通电阻的电路中。典型应用场景包括：电源管理模块，如DC-DC转换器、线性稳压器和开关电源（SMPS），用于提高能效并减少发热；电池供电设备，如便携式仪器、笔记本电脑和移动设备中的电源控制与保护电路；电机驱动系统，适用于小型直流电机或步进电机的控制，常见于家电、电动工具和工业自动化设备；此外，还用于逆变器、LED驱动电源以及各类高密度电源设计中。IRL630STRR具有较低的栅极电荷和导通电阻（RDS(on)），支持快速开关，有助于提升系统响应速度和整体效率。其SOT-223封装形式具备良好的散热性能，适合空间受限但对热管理有要求的设计。由于其兼容逻辑电平驱动（在4.5V至10V栅源电压下可充分导通），特别适用于微控制器直接驱动的数字控制系统。总体而言，IRL630STRR是一款可靠性高、性价比优的功率开关元件，适合多种中低功率电子系统中的开关与功率调节任务。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRL630STRR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 400 毫欧 @ 5.4A，5V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Tc） |
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