Datasheet下载- 型号： STD30NE06LT4
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD30NE06LT4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD30NE06LT4价格参考。STMicroelectronicsSTD30NE06LT4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STD30NE06LT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD30NE06LT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STD30NE06LT4是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管类别。该器件采用TO-252（D²PAK）贴片封装，具有低导通电阻、高开关效率和良好的热稳定性，广泛应用于中低电压功率转换场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于开关电源（SMPS）、AC-DC和DC-DC转换器中，作为主开关或同步整流元件，适用于适配器、充电器和工业电源模块。 2. 电机驱动：在直流电机、步进电机控制电路中作为功率开关，用于电动工具、家用电器（如风扇、洗衣机）及工业自动化设备中。 3. 照明系统：用于LED驱动电源，支持高效恒流输出，适用于工业照明、户外灯具等中高功率LED应用。 4. 消费电子与工业控制：常见于电视、显示器电源板、智能电表及继电器替代电路中，实现高效能、小体积的设计需求。 5. 过流与热保护设计：因其具备较高的雪崩耐受能力和抗干扰性能，适合在要求可靠性的恶劣电气环境中运行。 综上，STD30NE06LT4凭借其60V耐压、30A大电流承载能力及优化的动态特性，在高效率、小型化电源系统中表现优异，是现代电力电子设计中的常用器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 30A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STD30NE06LT4 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | STripFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2370pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 41nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 28 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 55W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
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