Datasheet下载- 型号： CSD16407Q5C
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16407Q5C由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16407Q5C价格参考。Texas InstrumentsCSD16407Q5C封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD16407Q5C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD16407Q5C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD16407Q5C是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款N沟道MOSFET，采用5mm x 6mm SON封装，具有低导通电阻（RDS(on)）和高功率密度，适用于对空间和效率要求较高的电源管理应用。其主要应用场景包括： 1. 同步整流DC-DC转换器：常用于降压（Buck）转换器中作为下管或上管，尤其在笔记本电脑、服务器和通信设备的多相电压调节模块（VRM）中，提供高效电能转换。 2. 负载开关与电源管理：适用于便携式电子设备（如平板电脑、智能手机）中的电源路径控制，实现快速开关和低功耗待机。 3. 电机驱动电路：在小型直流电机或步进电机驱动中作为开关元件，因其低导通损耗可减少发热，提高系统效率。 4. 热插拔与过流保护电路：用于工业和电信电源系统中，配合控制器实现安全的带电插拔功能。 5. LED背光驱动：在大尺寸LCD显示屏的LED驱动电源中，用于高效恒流调节。 该器件具备优异的热性能和电流承载能力，适合高密度PCB布局，广泛应用于消费电子、工业控制、通信基础设施和汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 100A 8SONMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 31 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16407Q5CNexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD16407Q5C |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| Qg-GateCharge | 13.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
| 上升时间 | 18.4 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.9V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2660pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.4 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON-EP（5x6） |
| 其它名称 | 296-25664-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16407Q5C |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | VSON-8 Clip |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 111 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/texas-instruments/DualCool.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 31A（Ta）， 100A（Tc） |
| 系列 | CSD16407Q5C |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
| 配置 | Single |
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