Datasheet下载- 型号： SIHP15N60E-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHP15N60E-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHP15N60E-GE3价格参考。VishaySIHP15N60E-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHP15N60E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHP15N60E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIHP15N60E-GE3 是一款 N 通道功率 MOSFET，广泛应用于高电压和高效率的电力电子系统中。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - 该型号适用于开关模式电源中的高频开关应用，例如 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等。 - 其 600V 的击穿电压使其能够承受较高的输入电压，适合工业级或消费级 SMPS。 2. 电机驱动 - 在电机控制电路中，SIHP15N60E-GE3 可用于驱动直流无刷电机（BLDC）、步进电机或其他类型的电机。 - 它的低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功耗，提高效率。 3. 逆变器 - 常用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）等设备中，作为功率转换的关键元件。 - 高耐压特性使其能够在复杂的逆变电路中稳定工作。 4. PFC（功率因数校正）电路 - 在功率因数校正电路中，该 MOSFET 可以实现高效的电能转换，满足现代电力设备对能源效率的要求。 5. 负载切换 - 用于需要频繁开关的负载切换场景，例如汽车电子、家用电器中的负载控制。 - 其快速开关速度和低开关损耗确保了系统的高效运行。 6. 电动汽车与充电桩 - 在电动车的动力管理系统和充电桩中，该 MOSFET 可用于高压电池管理、充电控制等环节。 - 其高可靠性和稳定性非常适合这些关键应用。 7. 工业自动化 - 在工业自动化设备中，如 PLC 控制器、伺服驱动器等，该 MOSFET 可用于信号放大和功率传输。 总结 SIHP15N60E-GE3 凭借其高耐压（600V）、低导通电阻（典型值为 1.5Ω）以及出色的热性能，适用于各种高电压、大功率的应用场景。其高性能和可靠性使其成为电力电子设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 15A TO220ABMOSFET 600V 280mOhm@10V 15A N-Ch E-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHP15N60E-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIHP15N60E-GE3SIHP15N60E-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 180 W |
| Pd-功率耗散 | 180 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 280 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 280 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 280 毫欧 @ 8A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 180W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 280 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 15 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Tc） |
| 系列 | E |
| 配置 | Single |
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