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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STW25N95K3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW25N95K3价格参考。STMicroelectronicsSTW25N95K3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STW25N95K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW25N95K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的STW25N95K3是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件广泛应用于需要高效、高电压和较高电流开关能力的场景。 主要应用场景包括: 1. 电源管理系统:适用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)等,因其具备高耐压(950V)和良好的导通电阻特性,适合高压电源转换场合。 2. 工业电机控制:用于变频器、伺服驱动器或电机控制器中,作为高频开关元件,实现对电机速度和转矩的精确控制。 3. 照明系统:如LED路灯或工业照明设备中的恒流驱动电路,利用其高效开关性能提升整体能效。 4. 新能源领域:例如太阳能逆变器、储能系统等,用作功率变换的核心开关器件,支持清洁能源系统的高效运行。 5. 家电应用:高端家电产品中的马达驱动或电源管理模块,如洗衣机、空调压缩机等。 该MOSFET采用TO-247封装,便于散热和安装,适用于高功率密度设计。其低栅极电荷和快速开关特性有助于减少开关损耗,提高系统效率。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 950V 22A TO247MOSFET N-Ch 950V 0.32 Ohm 22A SuperMESH 3 |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 22 A |
Id-连续漏极电流 | 22 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW25N95K3SuperMESH3™ |
数据手册 | |
产品型号 | STW25N95K3 |
Pd-PowerDissipation | 400 W |
Pd-功率耗散 | 400 W |
Qg-栅极电荷 | 105 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 360 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 360 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 950 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 950 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 150µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3680pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 105nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 360 毫欧 @ 11A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247 |
其它名称 | 497-11148-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF220976?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 400W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 950V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22A (Tc) |
系列 | STW25N95K3 |