ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > SMMUN2213LT1G
Datasheet下载- 型号： SMMUN2213LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMMUN2213LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMMUN2213LT1G价格参考。ON SemiconductorSMMUN2213LT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载SMMUN2213LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMMUN2213LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的SMMUN2213LT1G是一款预偏置型双极结型晶体管（BJT），属于NPN结构，采用小型表面贴装封装（如SOT-23），集成内置偏置电阻，简化电路设计。该器件广泛应用于便携式电子设备和中低功率开关电路中。 典型应用场景包括：智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号切换与电源管理；消费类电子产品如路由器、机顶盒中的逻辑电平转换与驱动控制；以及各类小型家电、工业控制模块中的继电器或LED驱动开关。因其内置偏置电阻，无需外接基极电阻，有效节省PCB空间，提升可靠性，特别适合高密度布局的紧凑型设计。 此外，SMMUN2213LT1G具有快速开关响应、低导通损耗和良好的温度稳定性，适用于高频开关和数字开关电路。在电池供电设备中，其低功耗特性有助于延长续航时间。同时，该器件符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造。 总之，SMMUN2213LT1G凭借其集成化设计、小型封装和稳定性能，广泛用于消费电子、通信设备和工业控制等领域中的信号放大、电平转换与开关控制功能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SMMUN2213LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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