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Datasheet下载- 型号： STFI40N60M2
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STFI40N60M2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STFI40N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTFI40N60M2封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 34A（Tc） 40W（Tc） I2PAKFP（TO-281）。您可以下载STFI40N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STFI40N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STFI40N60M2是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：该器件适用于开关模式电源中的高频开关应用，如DC-DC转换器、反激式变换器和升压变换器等。其低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（600V）使其在高压环境中表现优异。 2. 电机驱动：STFI40N60M2可用于工业和消费类电机驱动电路中，用于控制电机的速度和方向。其高耐压和快速开关特性适合于各种电机控制应用，例如家用电器、电动工具和自动化设备。 3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中，该MOSFET可以用于将直流电转换为交流电。其高效的开关性能有助于提高逆变器的整体效率。 4. 负载开关：在需要高效负载开关的应用中，STFI40N60M2可以用作高性能开关，提供低损耗和快速响应时间，适用于各种电子设备中的电源管理。 5. 保护电路：该器件也可用于过流保护和短路保护电路中，确保系统在异常情况下能够安全运行。其坚固的设计和高可靠性使其成为保护电路的理想选择。 总之，STFI40N60M2凭借其出色的电气特性和可靠性，广泛应用于需要高效功率转换和控制的各种工业和消费类电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 34A I2PAKFPMOSFET N-channel 600 V 0078 typ 34 A Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 34 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STFI40N60M2MDmesh™ II Plus |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STFI40N60M2 |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| Qg-GateCharge | 57 nC |
| Qg-栅极电荷 | 57 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 88 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 13.5 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2500pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 57nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 88 毫欧 @ 17A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I2PAKFP （281） |
| 其它名称 | 497-14195-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 96 ns |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 88 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3 整包， I²Pak |
| 封装/箱体 | I2PAKFP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 650 V |
| 漏极连续电流 | 34 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 34A （Tc） |
| 系列 | STFI40N60M2 |
| 配置 | Single |
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