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  • 型号: IKP15N65F5XKSA1
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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IKP15N65F5XKSA1产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IKP15N65F5XKSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IKP15N65F5XKSA1价格参考。InfineonIKP15N65F5XKSA1封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 650V 30A 105W Through Hole PG-TO220-3。您可以下载IKP15N65F5XKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IKP15N65F5XKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

17ns/150ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

45A

描述

IGBT 650V 30A 105W PG-TO247-3IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

38nC

IGBT类型

-

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IKP15N65F5XKSA1TrenchStop®

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/DS_IKP15N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af9faf0765e3f

产品型号

IKP15N65F5XKSA1

SwitchingEnergy

130µJ (开), 40µJ (关)

TestCondition

400V, 7.5A, 39 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.1V @ 15V,15A

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30443

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

PG-TO247-3

其它名称

SP000973410

功率-最大值

105W

功率耗散

105 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

50ns

商标

Infineon Technologies

在25C的连续集电极电流

30 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

500

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 40 C

栅极/发射极最大电压

20 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

500

电压-集射极击穿(最大值)

650V

电流-集电极(Ic)(最大值)

30A

系列

IKP15N65

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

650 V

集电极—射极饱和电压

1.6 V

集电极最大连续电流Ic

18 A

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