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  • 型号: FGH20N6S2D
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FGH20N6S2D由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH20N6S2D价格参考。Fairchild SemiconductorFGH20N6S2D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FGH20N6S2D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGH20N6S2D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的FGH20N6S2D是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于超低导通电阻(UGBT)系列。其主要应用场景包括但不限于以下领域:

1. 开关电源(SMPS):  
   该型号适合用于开关电源中的功率转换电路,例如降压、升压或反激式拓扑结构。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性有助于提高效率并降低能量损耗。

2. 电机驱动:  
   FGH20N6S2D可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。其高频率开关能力能够实现精确的PWM(脉宽调制)控制。

3. 电池管理系统(BMS):  
   在锂电池或其他可充电电池的保护电路中,这款MOSFET可以用作充放电路径的开关,确保过流、短路或过温情况下的安全断开。

4. 消费类电子产品:  
   如手机充电器、笔记本适配器、LED驱动器等设备中,FGH20N6S2D可以提供高效的功率管理解决方案,满足小型化和高性能的需求。

5. 工业自动化:  
   在工业控制系统中,该MOSFET适用于信号隔离、负载切换以及传感器接口等场合,保障系统的稳定运行。

6. 汽车电子:  
   虽然FGH20N6S2D并非专为汽车级设计,但在某些非关键车载应用中(如照明控制、辅助电路等),它也可以发挥作用。

总结来说,FGH20N6S2D凭借其出色的电气性能和紧凑封装形式,广泛应用于需要高效功率转换与控制的各种电子系统中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

7.7ns/87ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

40A

描述

IGBT 600V 28A 125W TO247

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

30nC

IGBT类型

-

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FGH20N6S2D

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

25µJ (开), 58µJ (关)

TestCondition

390V, 7A, 25 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.7V @ 15V,7A

供应商器件封装

TO-247AD

其它名称

FGH20N6S2D_NL
FGH20N6S2D_NL-ND

功率-最大值

125W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

31ns

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

标准包装

150

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

28A

输入类型

标准

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