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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGH20N6S2D由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH20N6S2D价格参考。Fairchild SemiconductorFGH20N6S2D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FGH20N6S2D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGH20N6S2D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FGH20N6S2D是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于超低导通电阻(UGBT)系列。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源(SMPS): 该型号适合用于开关电源中的功率转换电路,例如降压、升压或反激式拓扑结构。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性有助于提高效率并降低能量损耗。 2. 电机驱动: FGH20N6S2D可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。其高频率开关能力能够实现精确的PWM(脉宽调制)控制。 3. 电池管理系统(BMS): 在锂电池或其他可充电电池的保护电路中,这款MOSFET可以用作充放电路径的开关,确保过流、短路或过温情况下的安全断开。 4. 消费类电子产品: 如手机充电器、笔记本适配器、LED驱动器等设备中,FGH20N6S2D可以提供高效的功率管理解决方案,满足小型化和高性能的需求。 5. 工业自动化: 在工业控制系统中,该MOSFET适用于信号隔离、负载切换以及传感器接口等场合,保障系统的稳定运行。 6. 汽车电子: 虽然FGH20N6S2D并非专为汽车级设计,但在某些非关键车载应用中(如照明控制、辅助电路等),它也可以发挥作用。 总结来说,FGH20N6S2D凭借其出色的电气性能和紧凑封装形式,广泛应用于需要高效功率转换与控制的各种电子系统中。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 7.7ns/87ns |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 40A |
描述 | IGBT 600V 28A 125W TO247 |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 30nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FGH20N6S2D |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | 25µJ (开), 58µJ (关) |
TestCondition | 390V, 7A, 25 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V,7A |
供应商器件封装 | TO-247AD |
其它名称 | FGH20N6S2D_NL |
功率-最大值 | 125W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 31ns |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
标准包装 | 150 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 28A |
输入类型 | 标准 |