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IRG7PH42UD-EP产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG7PH42UD-EP由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG7PH42UD-EP价格参考。International RectifierIRG7PH42UD-EP封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench 1200V 85A 320W Through Hole TO-247AD。您可以下载IRG7PH42UD-EP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRG7PH42UD-EP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRG7PH42UD-EP是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT(超微型栅极晶体管)、MOSFET - 单类别。以下是该型号的应用场景分析: 1. 开关电源(SMPS) - IRG7PH42UD-EP适用于开关电源中的高频开关应用,例如AC-DC或DC-DC转换器。 - 其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性可有效降低功率损耗,提高效率。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或无刷直流电机(BLDC)的驱动电路中。 - 可在PWM(脉宽调制)控制下实现高效的电机速度调节和方向控制。 3. 逆变器 - 在光伏逆变器或其他类型的逆变器中,作为功率级开关元件使用。 - 能够处理高频率的电压和电流切换,确保逆变器输出稳定。 4. 电池管理系统(BMS) - 用于电池保护电路中,作为充放电路径的开关。 - 其低导通电阻有助于减少电池充放电过程中的能量损耗。 5. 负载开关 - 在消费电子设备中用作负载开关,控制不同模块的供电状态。 - 提供快速响应和低功耗特性,适合便携式设备。 6. LED驱动 - 用于大功率LED照明系统的驱动电路中,提供高效稳定的电流控制。 - 支持恒流或恒压模式,满足不同LED配置需求。 7. 通信设备 - 在基站、路由器等通信设备中,作为信号放大或功率管理的关键组件。 - 高频性能使其适用于高速数据传输场景。 8. 工业自动化 - 应用于工业控制中的传感器接口、继电器替代方案或伺服控制系统。 - 提供可靠的开关功能和耐用性,适应复杂工业环境。 总结 IRG7PH42UD-EP凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于电力电子、消费电子、工业控制和通信等领域。其具体应用场景取决于设计需求和系统架构,能够为各种高效率、高性能的电力转换和控制任务提供支持。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 25ns/229ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 90A |
描述 | IGBT 1200V 85A 320W TO247ADIGBT 晶体管 1200V Trench IGBT Generic Ind App |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 157nC |
IGBT类型 | 沟道 |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRG7PH42UD-EP- |
数据手册 | |
产品型号 | IRG7PH42UD-EP |
PCN组件/产地 | |
SwitchingEnergy | 2.11mJ (开), 1.18mJ (关) |
TestCondition | 600V, 30A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V,30A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247AD |
其它名称 | IRG7PH42UDEP |
功率-最大值 | 320W |
功率耗散 | 320 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 153ns |
商标 | International Rectifier |
在25C的连续集电极电流 | 85 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247 |
工厂包装数量 | 25 |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 30 V |
标准包装 | 25 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 85A |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1.2 kV |
集电极—射极饱和电压 | 2 V |