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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB30N135IHRWG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB30N135IHRWG价格参考¥20.31-¥37.66。ON SemiconductorNGTB30N135IHRWG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NGTB30N135IHRWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NGTB30N135IHRWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NGTB30N135IHRWG是一款高电压、大电流的IGBT(绝缘栅双极型晶体管),适用于需要高效能和高可靠性的功率转换应用。该器件具有低导通压降和优化的开关特性,适合用于中高功率场合。 主要应用场景包括: 1. 工业电机驱动:如变频器、伺服驱动器等,用于控制电机的速度与转矩。 2. 电源转换系统:如不间断电源(UPS)、开关电源(SMPS)等,实现高效的DC-AC或DC-DC转换。 3. 新能源领域:包括太阳能逆变器、储能系统中的功率调节装置,用于将直流电转换为交流电并网使用。 4. 电动汽车相关设备:如车载充电器、充电桩中的功率模块,承担电能转换与控制功能。 5. 家电控制:高端家电如变频空调、电磁炉中用于功率调节与节能控制。 该IGBT具备良好的热稳定性和过载能力,适合在高温和高应力环境下运行,广泛应用于需要高效率、高可靠性和紧凑设计的工业与消费类电力电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | -/250ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
| 描述 | IGBT 1350V 60A 394W TO247IGBT 晶体管 1350V/30A IGBT FSII TO-24 |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 234nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTB30N135IHRWG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NGTB30N135IHRWG |
| SwitchingEnergy | 850µJ (关) |
| TestCondition | 600V, 30A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.65V @ 15V, 30A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | NGTB30N135IHRWGOS |
| 功率-最大值 | 394W |
| 功率耗散 | 394 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 60 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 25 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 1350V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 60A |
| 系列 | NGTB30N135IHR |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1350 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.3 V |