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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STGW40V60DLF由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGW40V60DLF价格参考。STMicroelectronicsSTGW40V60DLF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STGW40V60DLF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGW40V60DLF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGW40V60DLF是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT,MOSFET - 单类别。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 电源管理: STGW40V60DLF适用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器等应用。其高耐压(650V)和低导通电阻特性使其能够高效处理高压输入和大电流输出,适合工业级或消费级电源设计。 2. 电机驱动: 该器件可用于无刷直流电机(BLDC)驱动、步进电机控制和其他类型的电机驱动系统中。它能够在高频条件下实现快速开关,同时保持较低的功率损耗。 3. 逆变器: 在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,STGW40V60DLF可以作为核心开关元件,用于将直流电转换为交流电。其出色的热性能和电气特性有助于提高整体效率。 4. 不间断电源(UPS): 此MOSFET可用于UPS系统的逆变电路和电池充电电路中,确保在市电中断时提供稳定的备用电源支持。 5. 固态继电器: 由于其快速开关速度和高可靠性,STGW40V60DLF可被用作固态继电器中的关键组件,替代传统的机械继电器以实现更长寿命和更高性能。 6. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV): 在车载充电器(OBC)、DC/DC变换器以及某些辅助系统中,这款MOSFET能够满足严苛的工作条件要求,如高温环境下的稳定运行。 7. 家电与照明: 它还适用于家用电器中的变频控制模块以及LED照明驱动电路,帮助优化能源使用并减少热量产生。 总之,STGW40V60DLF凭借其优异的参数表现,广泛应用于各种需要高效能量转换及控制的场景中。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | -/208ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 160A |
描述 | IGBT 600V 80A 283W TO247IGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 226nC |
IGBT类型 | 沟道和场截止 |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGW40V60DLF- |
数据手册 | |
产品型号 | STGW40V60DLF |
SwitchingEnergy | 411µJ (关) |
TestCondition | 400V, 40A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.3V @ 15V,40A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247 |
其它名称 | 497-13767-5 |
功率-最大值 | 283W |
功率耗散 | 283 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | STMicroelectronics |
在25C的连续集电极电流 | 80 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247 |
工厂包装数量 | 30 |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 250 nA |
标准包装 | 30 |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 80A |
系列 | STGW40V60DLF |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.35 V |