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Datasheet下载- 型号： FGD3N60UNDF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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FGD3N60UNDF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGD3N60UNDF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGD3N60UNDF价格参考。Fairchild SemiconductorFGD3N60UNDF封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT NPT 600V 6A 60W Surface Mount TO-252, (D-Pak)。您可以下载FGD3N60UNDF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGD3N60UNDF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 5.5ns/22ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 9A |
| 描述 | IGBT 600V 6A 60W DPAKIGBT 晶体管 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 1.6nC |
| IGBT类型 | NPT |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGD3N60UNDF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGD3N60UNDF |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| SwitchingEnergy | 52µJ （开）， 30µJ （关） |
| TestCondition | 400V， 3A， 10 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.52V @ 15V， 3A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-252 |
| 其它名称 | FGD3N60UNDFDKR |
| 功率-最大值 | 60W |
| 功率耗散 | 60 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 反向恢复时间(trr) | 21ns |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 6 A |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252-3 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 10 uA |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-fgd3n60undf-short-circuit-rated-igbt/3619 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 系列 | FGD3N60 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.4 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 3 A |
