Datasheet下载- 型号： IXBH6N170
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXBH6N170由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXBH6N170价格参考。IXYSIXBH6N170封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXBH6N170参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXBH6N170 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXBH6N170是一款高电压、高功率的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单管MOSFET类别。该器件具有6A电流承载能力和1700V的漏源击穿电压，适用于高电压和高功率的应用场景。 主要应用场景包括： 1. 工业电源与高压电源转换 IXBH6N170常用于高压开关电源、DC-DC转换器、AC-DC整流器等电源系统中，适用于需要高效率、高稳定性的工业电源设备。 2. 电机驱动与变频器 该MOSFET可用于高压电机控制、变频器及伺服驱动系统中，支持高频开关操作，有助于减小系统体积并提升响应速度。 3. 新能源系统 在太阳能逆变器、风力发电变流器等新能源设备中，IXBH6N170可作为功率开关使用，适用于恶劣环境下的高可靠性需求。 4. 感应加热与电焊设备 该器件的高耐压和良好热稳定性，使其适用于高频感应加热电源和电焊机中的功率控制模块。 5. 测试设备与高压负载控制 在高压测试电源、负载模拟器等设备中，IXBH6N170可作为核心开关元件，实现对高压电路的精确控制。 总结：IXBH6N170凭借其高耐压、高电流能力和可靠性，广泛应用于工业、能源、电力电子等领域中的高压功率转换和控制设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 36A |
| 描述 | IGBT 1700V 12A 75W TO247ADIGBT 晶体管 12 Amps 1700V 3.6 Rds |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 17nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXBH6N170BIMOSFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXBH6N170 |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 3.4V @ 15V，6A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247AD （IXBH） |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.500 g |
| 反向恢复时间(trr) | 1.08µs |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247AD-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1700V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 12A |
| 系列 | IXBH6N170 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1700 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.3 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 12 A |
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