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  • 型号: MJD112-1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MJD112-1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD112-1G价格参考。ON SemiconductorMJD112-1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN - 达林顿 100V 2A 25MHz 1.75W 通孔 I-PAK。您可以下载MJD112-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJD112-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS DARL NPN 2A 100V STR IPAK

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MJD112-1G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

3V @ 40mA,4A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

1000 @ 2A,3V

产品目录页面

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供应商器件封装

I-Pak

其它名称

MJD112-1GOS
MJD1121G

功率-最大值

1.75W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

晶体管类型

NPN - 达林顿

标准包装

75

电压-集射极击穿(最大值)

100V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

20µA

频率-跃迁

25MHz

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