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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NGB8206NT4由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGB8206NT4价格参考。ON SemiconductorNGB8206NT4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NGB8206NT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NGB8206NT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NGB8206NT4 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 UGBT 类别下的单通道 MOSFET 晶体管。该型号属于 N 沟道增强型功率 MOSFET,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电力电子应用领域。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS): NGB8206NT4 的高性能特性使其非常适合用于开关模式电源中,例如 DC-DC 转换器、降压或升压转换器等。它能够高效地控制电流流动,减少能量损耗。 2. 电机驱动: 该器件可用于小型直流电机的驱动电路中,支持高效的速度控制和方向切换。它的低 Rds(on) 特性可以降低电机运行时的功耗。 3. 负载开关: 在便携式设备或需要动态管理电源的应用中,NGB8206NT4 可作为负载开关使用,实现快速开启/关闭功能,并保持较低的电压降。 4. 电池管理: 它适用于锂电池保护电路或其他电池管理系统中,用作充放电路径中的开关元件,确保电池安全工作。 5. LED 驱动: 在 LED 照明应用中,此 MOSFET 可用于恒流源设计,提供稳定电流以保证 LED 的亮度一致性和寿命延长。 6. 逆变器与太阳能系统: 对于小型逆变器或分布式太阳能发电系统而言,NGB8206NT4 能够承担高频开关任务,助力能源转换效率提升。 7. 消费电子产品: 包括智能手机充电器、平板电脑适配器以及其他家用电器在内的众多消费类电子产品都可能采用此类 MOSFET 来优化性能表现。 总之,NGB8206NT4 凭借其卓越的电气参数和可靠性,在各种工业、汽车及消费品领域的低压大电流应用场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | -/5µs |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 390V 20A 150W D2PAK |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NGB8206NT4 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V,9A,1 千欧,5V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.9V @ 4.5V,20A |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 390V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 20A |
| 输入类型 | 逻辑 |