Datasheet下载- 型号： SGM2N60UFTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SGM2N60UFTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGM2N60UFTF价格参考。Fairchild SemiconductorSGM2N60UFTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SGM2N60UFTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SGM2N60UFTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SGM2N60UFTF是安森美（ON Semiconductor）生产的一款高压MOSFET器件，属于晶体管中的超级结MOSFET（Super Junction MOSFET）系列。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和优异的热性能，适用于高电压、高效率的电源转换应用。 其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC电源适配器、充电器、服务器电源和工业电源模块中，尤其适合600V耐压等级下的反激式或正激式拓扑结构。 2. LED照明驱动电源：在高功率LED路灯、商业照明等恒流驱动电源中，SGM2N60UFTF可提供高效、稳定的开关性能，有助于提升能效并满足能源标准（如Energy Star）。 3. 消费类电子产品电源：如电视、显示器、音响设备的内置电源单元，利用其高效率和小体积优势，实现紧凑型设计。 4. 光伏逆变器辅助电源：用于太阳能微逆变器或组串式逆变器中的辅助电源电路，确保系统稳定运行。 5. 工业控制与自动化设备：在需要高效DC-DC转换或隔离电源的工业控制系统中，作为主开关元件使用。 SGM2N60UFTF采用TO-220F封装，具备良好的散热能力和绝缘性能，便于安装于散热片上，适用于对可靠性要求较高的环境。其高雪崩能量耐受能力和坚固的工艺设计，也增强了系统在瞬态过压或负载突变情况下的稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 15ns/80ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 10A |
| 描述 | IGBT 600V 2.4A 2.1W SOT-223 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 9nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SGM2N60UFTF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 30µJ （开）， 13µJ （关） |
| TestCondition | 300V, 1.2A, 200 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.6V @ 15V，1.2A |
| 供应商器件封装 | SOT-223-3 |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2.4A |
| 输入类型 | 标准 |
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