Datasheet下载- 型号： IXDP35N60B
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXDP35N60B由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXDP35N60B价格参考。IXYSIXDP35N60B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXDP35N60B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXDP35N60B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXDP35N60B是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管中的IGBT/MOSFET类别。该器件主要用于高电压和高功率的应用场景，具有良好的导通性能和开关特性。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等，适用于需要高效能和高稳定性的工业电源系统。 2. 电机驱动系统：用于变频器和电机控制模块中，适用于工业自动化、伺服驱动器和交流电机控制。 3. 新能源领域：如太阳能逆变器和储能系统，适用于将直流电转换为交流电并网使用的场景。 4. 电动汽车充电设备：作为功率开关元件，广泛应用于充电桩和车载充电器中。 5. 家电与消费电子：在一些高功率家电（如电磁炉、大功率UPS不间断电源）中也有应用。 IXDP35N60B具备高耐压（600V）、大电流承载能力（35A）和低导通电阻的特点，适合高频开关应用，能有效提升系统效率并减小散热设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 70A |
| 描述 | IGBT 600V 60A 250W TO220AB |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 120nC |
| IGBT类型 | NPT |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXDP35N60B |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 1.6mJ （开）， 800µJ （关） |
| TestCondition | 300V， 35A， 10 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V，35A |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 60A |
| 输入类型 | 标准 |
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