【未分类_SGH15N60RUFDTU】封装/厂家_SGH15N60RUFDTU中文资料_价格

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型号： SGH15N60RUFDTU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SGH15N60RUFDTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGH15N60RUFDTU价格参考。Fairchild SemiconductorSGH15N60RUFDTU封装/规格：未分类，暂无。您可以下载SGH15N60RUFDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SGH15N60RUFDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的SGH15N60RUFDTU是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于超结MOSFET（Ultrafast Recovery MOSFET, UGBT）系列，适用于多种高电压、高效能的应用场景。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 开关电源 (SMPS)
   - SGH15N60RUFDTU的高电压耐受能力（600V）和低导通电阻（典型值为0.48Ω）使其非常适合用于开关电源的设计。
   - 常见应用包括AC-DC转换器、DC-DC转换器以及PFC（功率因数校正）电路。

 2. 电机驱动
   - 该MOSFET可用于驱动中小型电机，例如家用电器中的风扇、泵或压缩机等。
   - 其快速开关特性和低损耗特性有助于提高电机驱动系统的效率。

 3. 逆变器
   - 在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中，SGH15N60RUFDTU可以作为高效的开关元件，用于将直流电转换为交流电。
   - 它的超快恢复性能有助于减少开关损耗并提高系统效率。

 4. 电池管理系统 (BMS)
   - 该器件可用于电池保护电路中，作为充放电路径的开关。
   - 其低导通电阻有助于降低功耗，延长电池使用寿命。

 5. 工业控制
   - 在工业自动化设备中，SGH15N60RUFDTU可作为负载开关或继电器替代品，用于控制高电压负载。
   - 例如，用于控制电磁阀、步进电机或其他工业执行器。

 6. 电动车及电动工具
   - 在电动车充电系统或电动工具中，该MOSFET可用于高效功率转换和电机驱动。
   - 其紧凑的封装形式（TO-263-3/D2PAK）适合空间受限的设计。

 特性优势：
- 高电压耐受：600V额定电压，适用于高压环境。
- 低导通电阻：降低功耗，提高效率。
- 快速开关特性：减少开关损耗，适合高频应用。
- 紧凑封装：便于小型化设计。

总结来说，SGH15N60RUFDTU广泛应用于需要高效功率转换和开关操作的场景，尤其在高电压、高频和低损耗要求的领域表现出色。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	17ns/44ns
产品目录	分立半导体产品
Current-CollectorPulsed(Icm)	45A
描述	IGBT 600V 24A 160W TO3P
产品分类	IGBT - 单路
GateCharge	42nC
IGBT类型	-
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SGH15N60RUFDTU
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
SwitchingEnergy	320µJ （开）， 356µJ （关）
TestCondition	300V, 15A, 13 欧姆, 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2.8V @ 15V，15A
供应商器件封装	TO-3P
功率-最大值	160W
包装	管件
反向恢复时间(trr)	60ns
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
标准包装	30
电压-集射极击穿（最大值）	600V
电流-集电极(Ic)（最大值）	24A
输入类型	标准