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产品简介:
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Renesas Electronics America的RJH60D0DPM-00#T1是一款由瑞萨电子(原Intersil产品)推出的600V、150A的双沟道功率MOSFET,主要用于高效率、高频率的功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流能力,适合对能效和空间布局有较高要求的设计。 该MOSFET常见应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源模块,适用于服务器、通信设备和工业电源系统; 2. 电机驱动:用于工业自动化设备、伺服驱动器和电动工具中,提供高效率和快速开关性能; 3. 负载开关与电源管理:在高电流负载切换应用中表现优异,如电池管理系统和热插拔电路; 4. 照明系统:用于高亮度LED驱动电路,支持高频调光与稳定电流控制; 5. 汽车电子:适用于车载充电系统、DC-DC变换器及辅助电机控制模块。 该器件采用TO-263封装,便于散热和安装,适合表面贴装工艺,广泛应用于中高功率密度设计中。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 40ns/80ns |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | - |
描述 | IGBT 600V 45A 40W TO3PFM |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 46nC |
IGBT类型 | 沟道 |
品牌 | Renesas Electronics America |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | RJH60D0DPM-00#T1 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | 230µJ (开), 290µJ (关) |
TestCondition | 300V, 22A, 5 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 15V,22A |
供应商器件封装 | TO-3PFM |
功率-最大值 | 40W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 100ns |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3PFM,SC-93-3 |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 45A |
输入类型 | 标准 |