【未分类_HGTG18N120BN】封装/厂家_HGTG18N120BN中文资料_价格

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型号： HGTG18N120BN
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG18N120BN由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG18N120BN价格参考。Fairchild SemiconductorHGTG18N120BN封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTG18N120BN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTG18N120BN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTG18N120BN 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 UGBT（超低导通电阻沟道 MOSFET）系列。该型号为 N 沟道增强型 MOSFET，具有以下特点和应用场景：

 主要特性
1. 高电压耐受能力：额定电压为 1200V，适用于高压环境。
2. 低导通电阻：在特定条件下，其导通电阻较低，有助于提高效率并减少功率损耗。
3. 高电流处理能力：能够承受较大的连续漏极电流，适合大功率应用。
4. 快速开关性能：具备较短的开关时间，适用于高频电路。
5. 高可靠性：采用先进的制造工艺，确保器件在恶劣环境下的稳定性。

 应用场景
1. 工业电源：
   - 工业级开关电源（SMPS）
   - 不间断电源（UPS）
   - 直流-直流转换器

2. 电机驱动：
   - 工业电机控制
   - 伺服驱动系统
   - 电动车窗、座椅调节等汽车电机驱动

3. 可再生能源：
   - 太阳能逆变器
   - 风能发电系统的功率转换模块

4. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）：
   - 车载充电器（OBC）
   - DC/DC 转换器
   - 电池管理系统（BMS）

5. 照明系统：
   - 高亮度 LED 照明驱动
   - 街道照明和景观照明中的功率控制

6. 家电设备：
   - 空调、冰箱等大型家电的压缩机驱动
   - 洗衣机、洗碗机等电机控制

7. 其他应用：
   - 固态继电器
   - 电子负载
   - 高压测试设备

HGTG18N120BN 的高电压、大电流和高效能特性使其非常适合需要高可靠性和高性能的电力电子应用。在设计过程中，需根据具体需求选择合适的散热方案和驱动电路，以确保其稳定运行。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	23ns/170ns
产品目录	分立半导体产品
Current-CollectorPulsed(Icm)	165A
描述	IGBT 1200V 54A 390W TO247
产品分类	IGBT - 单路
GateCharge	165nC
IGBT类型	NPT
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	HGTG18N120BN
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
SwitchingEnergy	800µJ （开）， 1.8mJ （关）
TestCondition	960V, 18A, 3 欧姆, 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2.7V @ 15V，18A
供应商器件封装	TO-247
功率-最大值	390W
包装	管件
反向恢复时间(trr)	-
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-247-3
标准包装	300
电压-集射极击穿（最大值）	1200V
电流-集电极(Ic)（最大值）	54A
输入类型	标准