Datasheet下载- 型号： NGTB30N120IHLWG
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB30N120IHLWG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB30N120IHLWG价格参考。ON SemiconductorNGTB30N120IHLWG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGTB30N120IHLWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGTB30N120IHLWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NGTB30N120IHLWG是一款高压、高速绝缘栅双极型晶体管（IGBT），属于单管IGBT器件，常用于高功率开关应用。其额定电压为1200V，额定电流为30A，具备低导通压降和优化的开关特性，适合高效率、高频率的工作环境。 该型号主要应用于工业与能源领域，如工业电机驱动、感应加热设备、逆变器电源和不间断电源（UPS）系统。在太阳能光伏逆变器中，NGTB30N120IHLWG可用于DC-AC转换环节，实现高效能量转换。此外，在电动汽车充电基础设施中，也可用于车载充电机或充电桩的辅助电源模块。 由于其采用增强型场截止（Field Stop）技术，具有较低的开关损耗和良好的热稳定性，因此适用于需要长期稳定运行的高温环境。同时，该器件符合RoHS标准，支持绿色环保设计。 总之，NGTB30N120IHLWG凭借其高耐压、高电流能力和优异的开关性能，广泛应用于对能效和可靠性要求较高的电力电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | -/360ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 320A |
| 描述 | IGBT 1200V 30A TO247 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 420nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NGTB30N120IHLWG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 1mJ（关） |
| TestCondition | 600V, 30A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 15V，30A |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 260W |
| 包装 | * |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 60A |
| 输入类型 | 标准 |
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