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产品简介:
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SGS5N150UFTU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款功率MOSFET器件,属于晶体管中的UGBT/MOSFET类别。它是一款N沟道增强型高压功率MOSFET,广泛应用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统中。 该器件的主要应用场景包括: 1. 电源转换系统:如AC/DC、DC/DC转换器,用于通信设备、服务器电源和工业电源系统,提供高效稳定的电压转换。 2. 电机驱动:用于无刷直流电机(BLDC)或步进电机的驱动电路中,适用于家电、工业自动化和电动工具等应用。 3. 照明系统:在LED照明或高压气体放电灯(HID)镇流器中作为开关元件使用,实现高效节能的照明控制。 4. 消费类电子产品:如电视电源、适配器等,因其高效率和小封装,适合空间受限的设计。 5. 汽车电子:用于车载充电器、车身控制模块或辅助电机控制等场景,满足汽车应用对可靠性和效率的高要求。 综上,SGS5N150UFTU凭借其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性,适用于多种中高功率的开关和控制场合。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 10ns/30ns |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 20A |
描述 | IGBT 1500V 10A 50W TO220F |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 30nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SGS5N150UFTU |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | 190µJ (开), 100µJ (关) |
TestCondition | 600V, 5A, 10 欧姆, 10V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 5.5V @ 10V,5A |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 50W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1500V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 10A |
输入类型 | 标准 |