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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SGH40N60UFTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGH40N60UFTU价格参考。Fairchild SemiconductorSGH40N60UFTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SGH40N60UFTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SGH40N60UFTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SGH40N60UFTU是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款MOSFET晶体管,属于“晶体管 - UGBT,MOSFET - 单”类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS): SGH40N60UFTU具有低导通电阻和高击穿电压(600V),非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以高效地控制电流的开断,适用于AC-DC或DC-DC转换器。 2. 电机驱动: 该器件可用于各种电机驱动应用,例如家用电器(如风扇、洗衣机等)中的无刷直流电机(BLDC)控制。其高耐压特性和快速开关能力使其能够稳定地驱动电机。 3. 逆变器: 在太阳能逆变器或不间断电源(UPS)中,SGH40N60UFTU可以作为功率级开关使用,实现高效的能量转换和输出波形调节。 4. 工业控制: 该MOSFET适用于工业自动化设备中的负载开关、继电器替代和电磁阀驱动等场景。其高可靠性确保了在复杂工业环境下的稳定运行。 5. 电动车与电动工具: 在电动车(如电动自行车、滑板车)以及电动工具(如电钻、电锯)中,SGH40N60UFTU可以用作主功率开关或电池管理系统(BMS)中的关键元件。 6. 照明系统: 高效的LED驱动电路可能需要此类MOSFET来实现恒流控制和调光功能,尤其是在大功率LED照明应用中。 总结来说,SGH40N60UFTU凭借其出色的电气性能和耐用性,广泛应用于电力电子领域,特别是在需要高压、高频和高效能转换的场合。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 15ns/65ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 160A |
描述 | IGBT 600V 40A 160W TO3PIGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 97nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor SGH40N60UFTU- |
数据手册 | |
产品型号 | SGH40N60UFTU |
PCN设计/规格 | |
SwitchingEnergy | 160µJ (开), 200µJ (关) |
TestCondition | 300V, 20A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.6V @ 15V,20A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-3PN |
功率-最大值 | 160W |
功率耗散 | 160 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.401 g |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | Fairchild Semiconductor |
在25C的连续集电极电流 | 40 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
封装/箱体 | TO-3P-3 |
工厂包装数量 | 30 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | +/- 100 nA |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 40A |
系列 | SGH40N60 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.1 V |
集电极最大连续电流Ic | 40 A |