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  • 型号: SGH40N60UFTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SGH40N60UFTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGH40N60UFTU价格参考。Fairchild SemiconductorSGH40N60UFTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SGH40N60UFTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SGH40N60UFTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SGH40N60UFTU是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款MOSFET晶体管,属于“晶体管 - UGBT,MOSFET - 单”类别。其主要应用场景包括:

1. 开关电源(SMPS):  
   SGH40N60UFTU具有低导通电阻和高击穿电压(600V),非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以高效地控制电流的开断,适用于AC-DC或DC-DC转换器。

2. 电机驱动:  
   该器件可用于各种电机驱动应用,例如家用电器(如风扇、洗衣机等)中的无刷直流电机(BLDC)控制。其高耐压特性和快速开关能力使其能够稳定地驱动电机。

3. 逆变器:  
   在太阳能逆变器或不间断电源(UPS)中,SGH40N60UFTU可以作为功率级开关使用,实现高效的能量转换和输出波形调节。

4. 工业控制:  
   该MOSFET适用于工业自动化设备中的负载开关、继电器替代和电磁阀驱动等场景。其高可靠性确保了在复杂工业环境下的稳定运行。

5. 电动车与电动工具:  
   在电动车(如电动自行车、滑板车)以及电动工具(如电钻、电锯)中,SGH40N60UFTU可以用作主功率开关或电池管理系统(BMS)中的关键元件。

6. 照明系统:  
   高效的LED驱动电路可能需要此类MOSFET来实现恒流控制和调光功能,尤其是在大功率LED照明应用中。

总结来说,SGH40N60UFTU凭借其出色的电气性能和耐用性,广泛应用于电力电子领域,特别是在需要高压、高频和高效能转换的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

15ns/65ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

160A

描述

IGBT 600V 40A 160W TO3PIGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

97nC

IGBT类型

-

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor SGH40N60UFTU-

数据手册

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产品型号

SGH40N60UFTU

PCN设计/规格

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SwitchingEnergy

160µJ (开), 200µJ (关)

TestCondition

300V, 20A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.6V @ 15V,20A

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-3PN

功率-最大值

160W

功率耗散

160 W

包装

管件

单位重量

6.401 g

反向恢复时间(trr)

-

商标

Fairchild Semiconductor

在25C的连续集电极电流

40 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

封装/箱体

TO-3P-3

工厂包装数量

30

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

+/- 100 nA

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

40A

系列

SGH40N60

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

2.1 V

集电极最大连续电流Ic

40 A

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