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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SGP23N60UFDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGP23N60UFDTU价格参考。Fairchild SemiconductorSGP23N60UFDTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SGP23N60UFDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SGP23N60UFDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SGP23N60UFDTU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高效率电源转换系统。该器件具备600V的漏源击穿电压和23A的连续漏极电流能力,适用于中高功率应用场景。 该MOSFET主要应用于以下领域: 1. 开关电源(SMPS):如适配器、充电器、PC电源等,用于提高转换效率并减小体积。 2. DC-DC转换器:用于电信设备、服务器电源等对效率和功率密度要求较高的场合。 3. 逆变器系统:如太阳能逆变器、UPS不间断电源等,SGP23N60UFDTU的高耐压和大电流能力适合此类应用。 4. 电机驱动:适用于工业电机控制、电动工具等需要高频开关和高可靠性的场景。 5. LED照明电源:用于高效率、高稳定性的LED驱动电源设计中。 该器件采用TO-220封装,具备良好的散热性能,适用于需要高可靠性和高效率的工业和消费类电子产品。其低导通电阻与快速开关特性有助于降低损耗,提高系统整体效率。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 17ns/60ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 92A |
| 描述 | IGBT 600V 23A 100W TO220 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 49nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SGP23N60UFDTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 115µJ (开), 135µJ (关) |
| TestCondition | 300V, 12A, 23 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.6V @ 15V,12A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 60ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 23A |
| 输入类型 | 标准 |