Datasheet下载- 型号： NGTG20N60L2TF1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTG20N60L2TF1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTG20N60L2TF1G价格参考。ON SemiconductorNGTG20N60L2TF1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGTG20N60L2TF1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGTG20N60L2TF1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的NGTG20N60L2TF1G是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于超低导通电阻（Ultra Low Gate Charge，UGBT）系列，专为高效功率转换应用设计。以下是该型号的主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - NGTG20N60L2TF1G适用于各种开关电源设计，包括AC-DC和DC-DC转换器。其低导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg）特性使其能够在高频开关条件下保持高效率。 - 常见应用包括笔记本电脑适配器、电视电源、LED驱动电源等。 2. 电机驱动 - 该器件可用于无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电机驱动电路中。其快速开关能力和低损耗特性有助于提高电机控制系统的效率和性能。 - 特别适合小型家电、电动工具和工业自动化设备中的电机驱动应用。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）中，NGTG20N60L2TF1G可以作为功率级开关元件，用于将直流电转换为交流电。 - 其600V的额定电压和低导通损耗使其能够承受高压环境，同时保持高能效。 4. 电动车充电系统 - 该MOSFET可用于电动车充电桩或车载充电器中，支持高效的功率转换和能量管理。 - 其紧凑的封装形式（TO-252/DPAK）也适合空间受限的设计。 5. PFC电路（功率因数校正） - 在功率因数校正电路中，NGTG20N60L2TF1G可以用作主开关器件，以提高输入功率因数并减少谐波失真。 - 适用于需要高功率密度和低能耗的设备。 6. 负载开关与保护电路 - 可用于工业设备或消费电子产品的负载开关和保护电路中，提供快速响应和低功耗的解决方案。 总结 NGTG20N60L2TF1G凭借其低导通电阻、低栅极电荷和高耐压特性，非常适合用于高频、高效功率转换场景。其典型应用涵盖消费电子、工业设备、汽车电子以及可再生能源领域，能够显著提升系统的整体效率和可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 60ns/193ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 105A |
| 描述 | IGBT 600V 40A 64W TO-3PFIGBT 晶体管 600V 20A IGBT TO-3PF |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 84nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTG20N60L2TF1G- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NGTG20N60L2TF1G |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V， 20A， 30 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.65V @ 15V， 20A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | NGTG20N60L2TF1GOS |
| 功率-最大值 | 64W |
| 功率耗散 | 64 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 40 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Ammo Pack |
| 封装/外壳 | TO-3P-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-3PF-3L |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 40A |
| 系列 | NGTG20N60L2TF1G |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.65 V |
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