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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STGD7NC60HT4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGD7NC60HT4价格参考。STMicroelectronicsSTGD7NC60HT4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STGD7NC60HT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGD7NC60HT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的STGD7NC60HT4是一款集成了IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和反并联二极管的复合功率器件,属于晶体管中的IGBT、MOSFET-单类元件。该器件适用于中高功率应用场合,具有较高的效率和可靠性。 主要应用场景包括: 1. 工业电机驱动:用于变频器、伺服驱动器等设备中,作为功率开关实现电能的高效转换与控制。 2. 家电控制:如电磁炉、微波炉等家用电器中的逆变系统,用于高频开关操作以提升能效。 3. 新能源领域:在太阳能逆变器、储能系统等新能源设备中,作为核心功率器件进行直流到交流的能量转换。 4. 电动车相关系统:可用于电动车充电模块或车载辅助电源系统中,实现稳定高效的电力转换。 5. UPS不间断电源:在UPS系统中用于切换和逆变环节,确保供电连续性和稳定性。 该器件采用紧凑封装设计,具备良好的热性能和抗干扰能力,适合需要小型化与高性能兼顾的设计需求。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 18.5ns/72ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
描述 | IGBT 600V 25A 70W DPAKIGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 14 Amp |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 35nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF88251?referrer=70032480 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGD7NC60HT4PowerMESH™ |
数据手册 | |
产品型号 | STGD7NC60HT4 |
SwitchingEnergy | 95µJ (开), 115µJ (关) |
TestCondition | 390V, 7A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V,7A |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | 497-4111-1 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF88251?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 70W |
功率耗散 | 70 W |
包装 | 剪切带 (CT) |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | STMicroelectronics |
在25C的连续集电极电流 | 25 A |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | TO-252-3 |
工厂包装数量 | 2500 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | +/- 100 nA |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 25A |
系列 | STGD7NC60H |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |
集电极最大连续电流Ic | 25 A |