ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 > IXGA24N120C3
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IXGA24N120C3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXGA24N120C3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGA24N120C3价格参考。IXYSIXGA24N120C3封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT PT 1200V 48A 250W Surface Mount TO-263 (IXGA)。您可以下载IXGA24N120C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXGA24N120C3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXGA24N120C3是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极型晶体管),常用于高电压和高电流的应用场景。该器件具有24A额定集电极电流和1200V的击穿电压,适用于需要高效能功率转换的工业与电力电子系统。 主要应用场景包括: 1. 工业电机驱动:如变频器、伺服驱动器等,用于控制交流电机的速度与转矩,具备良好的动态响应和效率。 2. 逆变器系统:广泛应用于太阳能逆变器、储能系统及不间断电源(UPS)中,实现直流到交流的高效转换。 3. 感应加热设备:如电磁炉、工业加热装置等,利用IGBT的高频开关特性实现能量高效传输。 4. 电动汽车相关应用:包括车载充电器、DC-DC转换器等,满足新能源汽车对高可靠性和高效率功率器件的需求。 5. 智能电网与能源管理系统:用于电力调节与分配系统中,提升整体系统的能效与稳定性。 该IGBT采用TO-247封装,便于散热和安装,适合在恶劣环境下工作,具备较强的抗过载能力,是多种高功率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 16ns/93ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 96A |
| 描述 | IGBT 1200V 48A 250W TO263IGBT 模块 40khz PT IGBTs Power Device |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 79nC |
| IGBT类型 | PT |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 模块,IXYS IXGA24N120C3GenX3™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXGA24N120C3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| SwitchingEnergy | 1.16mJ (开), 470µJ (关) |
| TestCondition | 600V,20A,5 欧姆,15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 4.2V @ 15V,20A |
| 产品种类 | IGBT 模块 |
| 供应商器件封装 | TO-263 (IXGA) |
| 功率-最大值 | 250W |
| 功率耗散 | 250 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | GenX3 |
| 在25C的连续集电极电流 | 48 A |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA |
| 封装/箱体 | TO-263 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 48A |
| 系列 | IXGA24N120 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.2 kV |