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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SGH10N60RUFDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGH10N60RUFDTU价格参考。Fairchild SemiconductorSGH10N60RUFDTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SGH10N60RUFDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SGH10N60RUFDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的SGH10N60RUFDTU是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT,MOSFET - 单类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面: 1. 电源管理 - 开关电源(SMPS):SGH10N60RUFDTU适合用于开关模式电源中,作为高频开关元件,能够高效地控制电压和电流。 - DC-DC转换器:在直流到直流电压转换电路中,该MOSFET可以用作主开关或同步整流器,提高效率并减少损耗。 2. 电机驱动 - 逆变器:在工业自动化和家用电器中,这款MOSFET可以用于驱动小型至中型电机的逆变器电路。 - 电调系统(ESC):适用于无人机、电动工具等领域的电子调速器,提供高效率和快速响应。 3. 负载切换 - 负载开关:用于需要频繁开启或关闭负载的应用场合,如汽车电子、LED照明和消费电子产品。 - 继电器替代:由于其低导通电阻特性,可替代传统机械继电器以实现更可靠的负载切换。 4. 电池管理系统(BMS) - 在电动车、储能设备和其他便携式电子产品的电池管理系统中,该MOSFET可用于充放电控制、过流保护以及短路保护等功能。 5. 通信与网络设备 - 电信基础设施:例如基站电源模块中的功率调节部分。 - 数据服务器:为数据中心内的服务器提供稳定的供电解决方案。 6. 汽车电子 - 启动/停止系统:支持现代汽车中的启停功能,优化燃油经济性。 - 车载充电器:为电动汽车或混合动力汽车的电池充电提供高效的功率转换。 特性优势 - 耐压值高(600V):适合高压环境下的应用。 - 低导通电阻:降低功耗,提升整体效率。 - 快速开关速度:减少开关损耗,适应高频工作需求。 - 紧凑封装:便于设计小型化产品。 综上所述,SGH10N60RUFDTU广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景,尤其是在要求高可靠性和高性能的工业、消费及汽车领域中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 15ns/36ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 30A |
| 描述 | IGBT 600V 16A 75W TO3P |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 30nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SGH10N60RUFDTU |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 141µJ (开), 215µJ (关) |
| TestCondition | 300V, 10A, 20 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.8V @ 15V,10A |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 60ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 16A |
| 输入类型 | 标准 |