Datasheet下载- 型号： IXDP20N60BD1
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXDP20N60BD1由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXDP20N60BD1价格参考。IXYSIXDP20N60BD1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXDP20N60BD1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXDP20N60BD1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXDP20N60BD1是IXYS公司生产的一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - UGBT、MOSFET - 单类别。该型号的器件具有以下特点和应用场景： 产品特点： 1. 电压与电流参数：IXDP20N60BD1的额定电压为600V，额定电流为20A，适用于高电压和中等电流的应用场景。 2. 低导通电阻：其导通电阻较低，有助于减少功率损耗，提高效率。 3. 快速开关性能：具备较快的开关速度，适合高频应用场合。 4. 高可靠性：采用先进的制造工艺，确保在恶劣环境下的稳定性和可靠性。 应用场景： 1. 电源管理：可用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器等电源管理系统中，提供高效的电力转换。 2. 电机驱动：适用于工业自动化设备中的电机驱动电路，能够控制电机的速度和方向。 3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中使用，用于将直流电转换为交流电。 4. 不间断电源（UPS）：作为关键组件用于UPS系统，保证电力供应的连续性。 5. 电动汽车（EV）：在电动车的电池管理系统（BMS）和牵引逆变器中发挥作用，支持车辆的动力传输和能量管理。 6. 家用电器：如空调、洗衣机等需要高效能功率控制的家电产品中也有应用。 综上所述，IXDP20N60BD1凭借其高性能参数和稳定性，广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的领域。选择此型号时需根据具体电路设计需求考虑散热措施及驱动条件等因素以确保最佳性能表现。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 40A |
| 描述 | IGBT 600V 32A 140W TO220ABIGBT 晶体管 20 Amps 600V |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 70nC |
| IGBT类型 | NPT |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXDP20N60BD1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXDP20N60BD1 |
| SwitchingEnergy | 900µJ （开）， 400µJ （关） |
| TestCondition | 300V， 20A， 22 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.8V @ 15V，20A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 140W |
| 功率耗散 | 140 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.300 g |
| 反向恢复时间(trr) | 40ns |
| 商标 | IXYS |
| 在25C的连续集电极电流 | 32 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 500 nA |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 32A |
| 系列 | IXDP20N60B |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 40 A |
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