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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STGB6NC60HDT4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGB6NC60HDT4价格参考。STMicroelectronicsSTGB6NC60HDT4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STGB6NC60HDT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGB6NC60HDT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGB6NC60HDT4是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于超结MOSFET(Ultrafast Recovery MOSFET, UGBT)系列。该型号适用于多种高效率、高频开关的应用场景,主要特点包括低导通电阻(Rds(on))、快速开关速度和高耐压能力(600V)。以下是其典型应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - STGB6NC60HDT4常用于开关电源的设计中,如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。 - 其高耐压特性和低导通电阻使其适合在高压输入环境下工作,同时减少功率损耗,提高转换效率。 2. 电机驱动 - 适用于工业电机驱动、家用电器中的小型电机控制等。 - 能够实现高效的开关操作,降低能耗,同时支持快速动态响应。 3. 太阳能逆变器 - 在光伏系统中,这款MOSFET可用于DC-AC逆变器电路,帮助将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。 - 高效的开关性能有助于提升能量转换效率,减少热损耗。 4. PFC(功率因数校正)电路 - 在需要功率因数校正的设备中,如UPS、工业电源等,该MOSFET可以作为主开关器件。 - 其快速恢复特性能够有效改善功率因数,降低谐波失真。 5. 电动工具 - 用于电动工具的无刷直流电机(BLDC)驱动电路中,提供高效、可靠的开关性能。 - 支持高电压输入,适应电动工具对功率和效率的要求。 6. 家电和照明 - 在现代家电(如空调、冰箱、洗衣机)和LED照明驱动电路中,这款MOSFET可作为关键开关元件。 - 通过优化开关特性,减少热量产生,延长产品寿命。 7. 电动汽车和充电桩 - 可用于电动车的车载充电器、充电桩的功率转换模块等。 - 高耐压和高效开关能力使其适合高压环境下的电力电子应用。 总结 STGB6NC60HDT4凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于需要高效功率转换和高频开关的场景。无论是工业设备还是消费电子产品,这款MOSFET都能满足严格的性能要求,同时降低系统的整体能耗。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 12ns/76ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 21A |
| 描述 | IGBT 600V 15A 56W D2PAKIGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 13.6nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGB6NC60HDT4PowerMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGB6NC60HDT4 |
| SwitchingEnergy | 20µJ (开), 68µJ (关) |
| TestCondition | 390V, 3A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V,3A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-5110-2 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF118259?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 56W |
| 功率耗散 | 80 W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 反向恢复时间(trr) | 21ns |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 15A |
| 系列 | STGB6NC60HD |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.7 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 15 A |