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Datasheet下载- 型号： STGF15H60DF
- 制造商： STMicroelectronics
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STGF15H60DF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGF15H60DF由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGF15H60DF价格参考。STMicroelectronicsSTGF15H60DF封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench Field Stop 600V 30A 30W Through Hole TO-220FP。您可以下载STGF15H60DF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGF15H60DF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STGF15H60DF是一款集成了IGBT和肖特基二极管的功率晶体管器件，适用于多种高效率功率转换应用。该器件结合了IGBT的低导通压降与肖特基二极管的快速恢复特性，有助于提高系统效率并减少外围元件数量。 主要应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：适用于笔记本电脑、手机等电子设备的高效AC-DC电源转换设计，特别是在需要高能效和紧凑设计的场合。 2. 工业电源与UPS系统：用于不间断电源（UPS）、工业电源模块中，实现稳定的能量转换与控制，提升系统可靠性和效率。 3. LED照明驱动：适用于高功率LED照明系统的电源驱动设计，支持宽输入电压范围，满足节能要求。 4. 家电电源管理：如变频空调、洗衣机等白色家电中的PFC（功率因数校正）电路或逆变器电路，实现高效电能转换。 5. 新能源领域：在太阳能逆变器或储能系统中作为关键开关元件，参与直流到交流的能量转换过程，提升整体能源利用率。 总之，STGF15H60DF凭借其集成优势和优异性能，广泛应用于对效率、空间和可靠性有较高要求的功率电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 24.5ns/118ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 60A |
| 描述 | IGBT 600V 30A 30W TO220FPIGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 15A HiSpd |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 81nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGF15H60DF- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGF15H60DF |
| SwitchingEnergy | 136µJ （开）， 207µJ （关） |
| TestCondition | 400V, 15A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V，15A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-14276-5 |
| 功率-最大值 | 30W |
| 功率耗散 | 30 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 103ns |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 30 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 FP |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 250 nA |
| 标准包装 | 50 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 30A |
| 系列 | STGF15H60DF |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.6 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 15 A |
