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Datasheet下载- 型号： IXGK120N120A3
- 制造商： IXYS
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IXGK120N120A3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXGK120N120A3由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGK120N120A3价格参考。IXYSIXGK120N120A3封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT PT 1200V 240A 830W Through Hole TO-264 (IXGK)。您可以下载IXGK120N120A3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXGK120N120A3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXGK120N120A3是一款高功率IGBT（绝缘栅双极型晶体管），主要应用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统中。该器件具有1200V的击穿电压和120A的额定电流，适用于高电压和大电流的工作环境。 典型应用场景包括： 1. 工业电机驱动：用于变频器和伺服驱动器中，作为功率开关，控制电机的速度和转矩。 2. 逆变器系统：广泛应用于太阳能逆变器、储能系统逆变器等，将直流电转换为交流电，具备高效率和高稳定性。 3. 电动汽车与充电桩：用于车载充电器或充电桩的功率转换模块中，支持高电压平台的快速充电需求。 4. UPS不间断电源：在UPS系统中作为核心开关元件，确保电力中断时的无缝切换与稳定输出。 5. 感应加热设备：如电磁炉、工业加热装置，利用其高频开关特性实现高效能量转换。 6. 轨道交通：用于地铁、高铁等牵引变流装置中，具备良好的热稳定性和过载能力。 该IGBT采用先进封装技术，具备良好的散热性能和可靠性，适合在严苛环境下长期运行。配合适当的驱动与保护电路，可提升系统整体效率与稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 40ns/490ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 600A |
| 描述 | IGBT 1200V 240A 830W TO264IGBT 晶体管 120 Amps 1200V |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 420nC |
| IGBT类型 | PT |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXGK120N120A3GenX3™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXGK120N120A3 |
| SwitchingEnergy | 10mJ（开），33mJ（关） |
| TestCondition | 960V， 100A， 1 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 15V，100A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-264 （IXGK） |
| 功率-最大值 | 830W |
| 功率耗散 | 830 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 10 g |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | GenX3 |
| 在25C的连续集电极电流 | 240 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 封装/箱体 | TO-264-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
| 标准包装 | 25 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 240A |
| 系列 | IXGK120N120 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.85 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 600 A |
