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产品简介:
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FGH60N60SFTU 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 MOSFET 晶体管,属于 UGBT 系列中的单通道 MOSFET。该型号的具体应用场景如下: 1. 开关电源 (SMPS):FGH60N60SFTU 的高电压耐受能力(600V)和低导通电阻特性使其非常适合用于开关电源设计中,例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。它可以作为主开关管或同步整流管,提供高效的能量转换。 2. 电机驱动:在电机控制领域,该 MOSFET 可用于驱动直流无刷电机(BLDC)、步进电机或其他类型的电机。其快速开关速度和低损耗特性有助于提高电机驱动系统的效率。 3. 逆变器:该器件适用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)等应用中的功率转换电路。它能够承受较高的电压波动,并保持稳定的性能。 4. 负载切换:FGH60N60SFTU 可用作负载切换开关,控制大电流负载的通断。其低 Rds(on)(导通电阻)特性减少了功率损耗,提高了系统效率。 5. PFC(功率因数校正)电路:在需要功率因数校正的应用中,这款 MOSFET 可以用作升压开关,帮助实现更高的功率因数和更少的谐波失真。 6. 工业自动化设备:FGH60N60SFTU 适合用于工业控制设备中的各种功率管理模块,如伺服驱动器、机器人控制器等。 7. 汽车电子:尽管该器件未明确标注为车规级,但在非关键车载应用中(如车灯控制、风扇控制等),也可以考虑使用。 总结来说,FGH60N60SFTU 凭借其高耐压、低导通电阻和良好的热性能,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及部分汽车电子领域中的功率转换与控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 22ns/134ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 180A |
| 描述 | IGBT 600V 120A 378W TO247IGBT 晶体管 N-CH / 600V 60A/ FS |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 198nC |
| IGBT类型 | 场截止 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH60N60SFTU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGH60N60SFTU |
| SwitchingEnergy | 1.79mJ (开), 670µJ (关) |
| TestCondition | 400V, 60A, 5 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.9V @ 15V,60A |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率-最大值 | 378W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.390 g |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247AB-3 |
| 工厂包装数量 | 150 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 120A |
| 系列 | FGH60N60 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 120 A |