Datasheet下载- 型号： FGAF40N60SMD
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGAF40N60SMD由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGAF40N60SMD价格参考。Fairchild SemiconductorFGAF40N60SMD封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FGAF40N60SMD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGAF40N60SMD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGAF40N60SMD 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - UGBT（超微型功率 MOSFET）类别。该型号的主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源 (SMPS) FGAF40N60SMD 适用于各种开关电源设计，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。其高电压耐受能力（600V 额定击穿电压）和低导通电阻特性使其非常适合高频开关应用，能够提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，特别是在需要高效切换和低功耗的应用场景下。例如家用电器、工业自动化设备中的电机控制。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，FGAF40N60SMD 可作为关键的功率开关元件，帮助实现高效的直流到交流转换。 4. 负载开关 由于其快速开关特性和较低的导通电阻 (Rds(on))，该器件适合用作负载开关，以保护电路免受过流或短路的影响，同时确保最小的能量损失。 5. 电动车与电动工具 FGAF40N60SMD 的高耐压和高效性能使其成为电动车电池管理系统 (BMS) 或电动工具中功率管理模块的理想选择。 6. LED 驱动器 在大功率 LED 照明系统中，这款 MOSFET 可用于恒流驱动电路，提供稳定且高效的电流输出。 7. 保护电路 它还可以应用于过压保护、欠压锁定 (UVLO) 和其他形式的保护电路中，为敏感电子设备提供可靠的防护。 总结来说，FGAF40N60SMD 凭借其出色的电气特性和紧凑封装（SMD 封装），广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及绿色能源等领域，特别适合对效率、可靠性和空间要求较高的设计。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 12ns/92ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
| 描述 | IGBT 600V 80A 79W TO-3PFIGBT 晶体管 600 V 80 A 79 W |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 119nC |
| IGBT类型 | 场截止 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGAF40N60SMD- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGAF40N60SMD |
| PCN封装 | |
| SwitchingEnergy | 870µJ （开）， 260µJ （关） |
| TestCondition | 400V, 40A, 6 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.9V @ 15V， 40A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-3PF |
| 功率-最大值 | 115W |
| 功率耗散 | 79 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 7 g |
| 反向恢复时间(trr) | 36ns |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 80 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-3PF |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80A |
| 系列 | FGAF40N60 |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.1 V |
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