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Datasheet下载- 型号： RJH60D3DPE-00#J3
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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RJH60D3DPE-00#J3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RJH60D3DPE-00#J3由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RJH60D3DPE-00#J3价格参考。RENESAS ELECTRONICSRJH60D3DPE-00#J3封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench 600V 35A 113W Surface Mount 4-LDPAK。您可以下载RJH60D3DPE-00#J3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RJH60D3DPE-00#J3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America的型号RJH60D3DPE-00#J3是一款功率MOSFET器件，常用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件适用于工业自动化设备、电机驱动器以及不间断电源系统（UPS）等应用场景。此外，它也适合用在电动汽车充电站、太阳能逆变器及储能解决方案里，以实现高效的能量转换与管理。这款MOSFET具备低导通电阻和快速开关特性，有助于减少能耗并提升整体系统效率，是现代高性能电子装置中的关键组件之一。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 35ns/80ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | - |
| 描述 | IGBT 600V 35A LDPAK |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 37nC |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RJH60D3DPE-00#J3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 200µJ （开）， 210µJ （关） |
| TestCondition | 300V, 17A, 5 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 15V，17A |
| 供应商器件封装 | 4-LDPAK |
| 其它名称 | RJH60D3DPE-00#J3DKR |
| 功率-最大值 | 113W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | 100ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-83 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 35A |
| 输入类型 | 标准 |
