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STGW60V60DF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STGW60V60DF由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGW60V60DF价格参考。STMicroelectronicsSTGW60V60DF封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench Field Stop 600V 80A 375W Through Hole TO-247。您可以下载STGW60V60DF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGW60V60DF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGW60V60DF是一款单通道MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),属于超低导通电阻(UGBT)系列。该器件具有600 V的击穿电压和极低的导通电阻,使其适用于多种高功率、高效能的应用场景。 应用场景: 1. 电源管理: - 开关电源 (SMPS):STGW60V60DF的高击穿电压和低导通电阻特性使其非常适合用于开关电源中的主开关管。它能够承受高电压并减少传导损耗,提高电源转换效率。 - 不间断电源 (UPS):在UPS系统中,MOSFET用于逆变器电路,将直流电转换为交流电,以确保在市电中断时提供稳定的电力输出。 2. 电机驱动: - 工业自动化:在工业控制系统中,MOSFET用于驱动各种类型的电机(如步进电机、伺服电机等)。其快速开关特性和低导通电阻有助于提高系统的响应速度和效率。 - 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV):在车载充电器、DC-DC转换器和电机控制器中,STGW60V60DF可以有效处理高电流和高电压,同时保持较低的功耗。 3. 照明系统: - LED驱动器:在大功率LED照明应用中,MOSFET用于控制电流,确保LED的稳定工作。其低导通电阻有助于减少发热,延长灯具寿命。 4. 太阳能逆变器: - 在光伏系统中,MOSFET用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,以便接入电网或直接使用。STGW60V60DF的高耐压和低损耗特性使其成为太阳能逆变器的理想选择。 5. 消费电子产品: - 笔记本电脑适配器:在便携式电子设备的电源适配器中,MOSFET用于高效的电源转换,确保设备在充电时的安全和稳定。 - 家电产品:如空调、洗衣机等家电中,MOSFET用于控制压缩机、风扇等部件的运行,提高能效比。 总之,STGW60V60DF凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统中。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 60ns/208ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 240A |
描述 | IGBT 600V 80A 375W TO247IGBT 晶体管 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 334nC |
IGBT类型 | 沟道和场截止 |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGW60V60DF- |
数据手册 | |
产品型号 | STGW60V60DF |
SwitchingEnergy | 750µJ (开), 550µJ (关) |
TestCondition | 400V, 60A, 4.7 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.3V @ 15V,60A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247 |
其它名称 | 497-13768-5 |
功率-最大值 | 375W |
功率耗散 | 375 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 74ns |
商标 | STMicroelectronics |
在25C的连续集电极电流 | 80 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247 |
工厂包装数量 | 30 |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 250 nA |
标准包装 | 30 |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 80A |
系列 | STGW60V60DF |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.35 V |