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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IKD10N60R由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IKD10N60R价格参考。InfineonIKD10N60R封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IKD10N60R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IKD10N60R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IKD10N60R是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT(超结功率MOSFET)类别,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - IKD10N60R具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于开关电源中的高频开关应用。 - 常见于AC-DC适配器、充电器以及工业电源中,提供高效的能量转换。 2. 电机驱动 - 该器件可用于控制直流无刷电机(BLDC)、步进电机或其他类型电机的运行。 - 在电动车窗、电动工具、家用电器(如风扇、泵)等场景中,实现精确的速度和扭矩控制。 3. 逆变器 - 应用于太阳能逆变器或UPS(不间断电源)系统中,将直流电转换为交流电。 - 其高效性能有助于减少能量损耗,提高整体系统效率。 4. 汽车电子 - 在汽车领域,IKD10N60R可用于车载电子设备,如LED照明驱动、车载充电器、空调压缩机控制等。 - 由于其耐高压(600V)特性,能够适应汽车电气系统的严苛环境。 5. PFC电路(功率因数校正) - 在需要高功率因数的应用中,如工业设备或家用电器,该MOSFET可用于Boost PFC拓扑结构,以改善输入电流波形。 6. 负载切换与保护 - 可用于各种负载切换和保护电路,例如电池管理系统(BMS)中的充放电控制。 - 提供快速响应和低功耗的优势,确保系统的稳定性和安全性。 总结 IKD10N60R凭借其600V的额定电压、低导通电阻(典型值为100 mΩ)和出色的热性能,非常适合需要高效能、高可靠性的电力电子应用。无论是消费类电子产品、工业设备还是汽车领域,这款MOSFET都能提供卓越的性能表现。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 14ns/192ns |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 30A |
描述 | IGBT 600V 20A 150W TO252-3 |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 64nC |
IGBT类型 | 沟道 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IK10N60R_1_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304325afd6e001262d35fc994304 |
产品图片 | |
产品型号 | IKD10N60R |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchStop® |
SwitchingEnergy | 590µJ |
TestCondition | 400V, 10A, 23 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V,10A |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
其它名称 | IKD10N60RINDKR |
功率-最大值 | 150W |
包装 | Digi-Reel® |
反向恢复时间(trr) | 62ns |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 20A |
输入类型 | 标准 |