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IRG4PH40UD2-EP产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG4PH40UD2-EP由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG4PH40UD2-EP价格参考。International RectifierIRG4PH40UD2-EP封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 1200V 41A 160W Through Hole TO-247AD。您可以下载IRG4PH40UD2-EP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRG4PH40UD2-EP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRG4PH40UD2-EP 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 UGBT(超微型功率 MOSFET)系列。该型号为单个 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于多种电力电子应用场合。以下是其主要应用场景: 1. 消费类电子产品 - 用于适配器、充电器和电源管理模块中,提供高效的功率转换。 - 在笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统中用作开关元件。 2. 电机驱动与控制 - 应用于小型直流电机驱动电路,如家用电器中的风扇、水泵等。 - 用于步进电机和伺服电机的驱动,提供精确的电流控制。 3. 开关电源 (SMPS) - 作为开关器件用于 DC-DC 转换器、反激式变换器和正激式变换器中。 - 提供高效的能量转换,降低系统功耗。 4. 照明系统 - 用于 LED 驱动电路,实现恒流或恒压控制,确保 LED 灯具的稳定工作。 - 支持智能照明系统的调光和调色功能。 5. 汽车电子 - 用于车载电子设备,如车窗升降器、座椅调节器和雨刷控制系统。 - 在新能源汽车中,可用于电池管理系统 (BMS) 和逆变器电路。 6. 工业自动化 - 用于可编程逻辑控制器 (PLC) 的输出级,驱动继电器或其他负载。 - 在工业机器人和自动化设备中,实现快速、可靠的开关操作。 7. 信号放大与保护 - 用作信号放大的开关元件,支持高频信号处理。 - 在过流保护和短路保护电路中发挥关键作用。 IRG4PH40UD2-EP 的特点使其非常适合需要高效功率转换、快速开关和紧凑设计的应用场景。其低导通电阻和优异的热性能能够显著提高系统的整体效率和可靠性。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 22ns/100ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 82A |
描述 | IGBT 1200V 41A 160W TO247ADIGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 100nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRG4PH40UD2-EP- |
数据手册 | |
产品型号 | IRG4PH40UD2-EP |
SwitchingEnergy | 1.95mJ (开), 1.71mJ (关) |
TestCondition | 800V, 21A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 3.1V @ 15V,21A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247AD |
其它名称 | *IRG4PH40UD2-EP |
功率-最大值 | 160W |
功率耗散 | 160 W |
包装 | 散装 |
反向恢复时间(trr) | 50ns |
商标 | International Rectifier |
在25C的连续集电极电流 | 41 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 AD |
工厂包装数量 | 25 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 25 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 41A |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1.2 kV |
集电极—射极饱和电压 | 2.43 V |
集电极最大连续电流Ic | 41 A |