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  • 型号: STGWT40V60DLF
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STGWT40V60DLF由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGWT40V60DLF价格参考。STMicroelectronicsSTGWT40V60DLF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STGWT40V60DLF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGWT40V60DLF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的型号 STGWT40V60DLF 是一款属于晶体管 - UGBT(Ultra Gate Bus Transistor)系列的 MOSFET - 单器件。以下是其主要应用场景:

 1. 工业电源管理
   - 开关电源 (SMPS):该MOSFET适用于高频开关电源,如AC-DC或DC-DC转换器,能够提供高效的电压和电流转换。
   - 电机驱动:用于工业电机控制中的功率级,支持高效的速度调节和扭矩控制。
   - 逆变器:在太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 等应用中,作为核心功率开关元件。

 2. 汽车电子
   - 车载充电器:支持电动车或混合动力车的车载充电系统,实现快速且高效的能量转换。
   - 电动窗/座椅控制:用作负载开关,控制低功耗设备的启停。
   - LED照明驱动:为汽车内部和外部LED灯提供稳定电流输出。

 3. 消费类电子产品
   - 适配器和充电器:用于手机、笔记本电脑等设备的快速充电器中,提供高效率和低损耗。
   - 家电控制:如空调、冰箱、洗衣机等家用电器中的功率控制模块,优化能效表现。

 4. 通信设备
   - 基站电源:在通信基站中,用于直流电源分配网络,确保稳定供电。
   - 信号放大器:作为功率开关,支持高效的能量传递和信号处理。

 特性优势
- 高耐压:额定电压高达600V,适合高压环境下的应用。
- 低导通电阻:减少功率损耗,提高系统效率。
- 快速开关性能:支持高频操作,适应现代电子设备对速度的要求。
- 封装紧凑:采用先进封装技术,便于小型化设计。

综上所述,STGWT40V60DLF广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景,特别是在工业、汽车和消费电子领域具有显著优势。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

-/208ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

160A

描述

IGBT 600V 80A 283W TO3P-3IGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

226nC

IGBT类型

沟道和场截止

品牌

STMicroelectronics

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGWT40V60DLF-

数据手册

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产品型号

STGWT40V60DLF

SwitchingEnergy

411µJ (关)

TestCondition

400V, 40A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.3V @ 15V,40A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-3P

其它名称

497-13772-5

功率-最大值

283W

功率耗散

283 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

商标

STMicroelectronics

在25C的连续集电极电流

80 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

封装/箱体

TO-3P

工厂包装数量

30

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

20 V

栅极—射极漏泄电流

250 nA

标准包装

30

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

80A

系列

STGWT40V60DLF

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

2.35 V

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