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Datasheet下载- 型号： SMMBFJ310LT3G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMMBFJ310LT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMMBFJ310LT3G价格参考。ON SemiconductorSMMBFJ310LT3G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道 JFET 10V 10mA 12dB SOT-23-3（TO-236）。您可以下载SMMBFJ310LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMMBFJ310LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的SMMBFJ310LT3G是一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），属于射频MOSFET类别，广泛应用于高频、低噪声的小信号放大场景。其主要应用场景包括： 1. 射频放大器：适用于VHF和UHF频段的射频小信号放大，常见于无线通信设备、对讲机、收音机前端放大电路中，因其具备良好的高频响应和低噪声特性。 2. 低噪声放大（LNA）：在接收系统中作为第一级放大器，有效提升信号信噪比，适用于电视调谐器、FM广播接收模块和数据通信系统。 3. 振荡电路：凭借稳定的跨导和良好的线性特性，可用于射频振荡器设计，如本地振荡源或时钟生成电路。 4. 模拟开关与衰减器：利用其电压控制特性，在射频信号路径中实现信号通断或增益调节功能。 5. 消费类电子与工业设备：用于便携式通信设备、遥控装置、传感器接口等需要高可靠性和小型化封装的场合。 SMMBFJ310LT3G采用SOT-23小尺寸封装，适合空间受限的高密度电路板设计，同时具备良好的温度稳定性和可靠性，是射频模拟电路中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS JFET N-CH 25V SOT-23 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SMMBFJ310LT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | N 通道 JFET |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | 25V |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | - |
| 额定电流 | 10mA |
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