Datasheet下载- 型号： RJH60D7DPK-00#T0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RJH60D7DPK-00#T0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RJH60D7DPK-00#T0价格参考。RENESAS ELECTRONICSRJH60D7DPK-00#T0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RJH60D7DPK-00#T0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RJH60D7DPK-00#T0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America（瑞萨电子）的型号RJH60D7DPK-00#T0是一款功率MOSFET器件，常用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件适用于工业自动化设备、电力转换系统以及电机控制等场景。在新能源领域，如太阳能逆变器与电动汽车充电装置中，此MOSFET可用于提升能量转换效率并减少热量产生。此外，在消费类电子产品中，它也可用于开关电源或负载管理模块，以实现更紧凑的设计与更高的工作效率。其高性能特性使其成为高温环境及对稳定性有较高要求应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 60ns/190ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | - |
| 描述 | IGBT 600V 90A 300W TO3P |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 130nC |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RJH60D7DPK-00#T0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 1.1mJ （开）， 600µJ （关） |
| TestCondition | 300V, 50A, 5 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 15V，50A |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 100ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 90A |
| 输入类型 | 标准 |
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