Datasheet下载- 型号： STGB35N35LZT4
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGB35N35LZT4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGB35N35LZT4价格参考。STMicroelectronicsSTGB35N35LZT4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STGB35N35LZT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGB35N35LZT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGB35N35LZT4是一款功率MOSFET器件，属于晶体管中的IGBT/MOSFET类别。该器件常用于需要高效能功率转换和控制的场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等，提供高效、稳定的电能转换。 2. 电机控制：适用于工业电机驱动器、电动工具和家电中的电机控制电路，具备良好的导通和开关性能。 3. 照明系统：如LED照明驱动电路，支持高频率开关操作，提高系统效率。 4. 汽车电子：用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）或其他汽车功率控制模块。 5. 工业自动化：在变频器、伺服驱动器等自动化设备中作为核心功率开关元件。 该器件采用先进的技术，具备低导通电阻、高耐压（350V）、大电流承载能力（35A）和优良的热性能，适合高效率、高可靠性的功率应用设计。其封装形式（如TO-220）也便于散热和安装，广泛适用于各种中高功率电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 1.1µs/26.5µs |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 80A |
| 描述 | IGBT 345V 40A 176W D2PAKIGBT 晶体管 EAS 350 mJ 350 V Int clamped IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 49nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGB35N35LZT4PowerMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGB35N35LZT4 |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V， 15A， 5V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.7V @ 4.5V，15A |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-10120-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC1131/PF132989?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 176W |
| 功率耗散 | 176 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 40 A |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 栅极/发射极最大电压 | 16 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 625 uA |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 345V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 40A |
| 系列 | STGB35N35LZ |
| 输入类型 | 逻辑 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 345 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.15 V |
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