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  • 型号: NGTB40N135IHRWG
  • 制造商: ON Semiconductor
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NGTB40N135IHRWG产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB40N135IHRWG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB40N135IHRWG价格参考。ON SemiconductorNGTB40N135IHRWG封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench Field Stop 1350V 80A 394W Through Hole TO-247。您可以下载NGTB40N135IHRWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NGTB40N135IHRWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(现为安森美半导体)的型号NGTB40N135IHRWG是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT(超结功率MOSFET)类别。该器件具有以下关键参数和应用场景:

 参数特点:
- 电压等级:135V,适合中等电压应用。
- 电流能力:连续漏极电流可达40A,适用于高电流负载。
- 低导通电阻:通常具备较低的Rds(on),有助于减少传导损耗。
- 封装形式:TO-247或类似大功率封装,便于散热管理。
- 工作温度范围:宽温范围(-55°C至175°C),适应恶劣环境。

 应用场景:
1. 开关电源(SMPS)  
   - 用于AC/DC转换器、DC/DC变换器中的主开关管。
   - 高效的开关性能使其适用于高频开关电路。

2. 电机驱动  
   - 控制直流无刷电机(BLDC)、步进电机或其他电动机。
   - 提供快速开关和低功耗特性以优化效率。

3. 工业自动化  
   - 在可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器中作为功率开关。
   - 实现负载切换或逆变功能。

4. 汽车电子  
   - 车载充电器、LED照明驱动、燃油泵控制等。
   - 满足车规级可靠性要求(如果符合相关认证标准)。

5. 太阳能逆变器  
   - 用于光伏系统中的功率转换模块。
   - 支持高效的能量传输与管理。

6. 电池管理系统(BMS)  
   - 保护电路中的充放电开关。
   - 确保安全运行并延长电池寿命。

这款MOSFET凭借其高性能和可靠性,广泛应用于需要高效功率转换和精确控制的领域。选择时需根据具体电路需求评估其电气特性和热设计是否匹配。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

-/250ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

120A

描述

IGBT 1350V 80A 394W TO247IGBT 晶体管 1350V/40A IGBT FSII TO-24

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

234nC

IGBT类型

沟道和场截止

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTB40N135IHRWG-

mouser_ship_limit

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产品型号

NGTB40N135IHRWG

SwitchingEnergy

1.3mJ(关)

TestCondition

600V, 40A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.7V @ 15V,40A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-247

其它名称

NGTB40N135IHRWGOS

功率-最大值

394W

功率耗散

394 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

商标

ON Semiconductor

在25C的连续集电极电流

80 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247

工厂包装数量

30

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 40 C

栅极/发射极最大电压

25 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

1350V

电流-集电极(Ic)(最大值)

80A

系列

NGTB40N135IHR

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

1350 V

集电极—射极饱和电压

2.4 V

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