【未分类_NGTB50N60FLWG】封装/厂家_NGTB50N60FLWG中文资料_价格

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型号： NGTB50N60FLWG
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB50N60FLWG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB50N60FLWG价格参考。ON SemiconductorNGTB50N60FLWG封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NGTB50N60FLWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGTB50N60FLWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的NGTB50N60FLWG是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - UGBT，MOSFET - 单类别。该型号的主要应用场景包括：

1. 开关电源（SMPS）：  
   NGTB50N60FLWG具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力（600V），适合用于开关电源中的功率转换电路，如AC-DC或DC-DC转换器。

2. 电机驱动：  
   适用于各种电机控制应用，例如家用电器、工业设备和电动工具中的无刷直流电机（BLDC）驱动电路。其高电压和大电流处理能力能够满足电机启动和运行的需求。

3. 逆变器：  
   在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，该MOSFET可用于高频开关操作，实现高效的电能转换。

4. 负载切换：  
   用于需要快速切换高电压负载的应用，例如汽车电子系统中的负载保护和管理。

5. 不间断电源（UPS）：  
   在UPS系统中作为关键的功率开关器件，提供稳定的电力输出。

6. 电池管理系统（BMS）：  
   用于电动车或储能系统的电池保护和充放电管理，确保电池的安全和高效运行。

7. 固态继电器（SSR）：  
   替代传统机械继电器，在工业自动化和家电控制中实现更可靠和更快的开关功能。

8. 照明应用：  
   在LED驱动器中用作开关元件，支持高亮度LED照明系统的高效能量传输。

总之，NGTB50N60FLWG凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于需要高效功率转换和控制的各种领域，特别适合高电压、中等功率的场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	116ns/292ns
产品目录	分立半导体产品半导体
Current-CollectorPulsed(Icm)	200A
描述	IGBT 600V 50A TO247IGBT 晶体管 600V/50A IGBT LPT TO-247
产品分类	IGBT - 单路分离式半导体
GateCharge	310nC
IGBT类型	沟道和场截止
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTB50N60FLWG-
mouser_ship_limit	该产品可能需要其他文件才能进口到中国。
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	NGTB50N60FLWG
SwitchingEnergy	1.1mJ （开）， 600µJ （关）
TestCondition	400V, 50A, 10 欧姆, 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	1.9V @ 15V，50A
产品种类	IGBT 晶体管
供应商器件封装	*
功率-最大值	223W
功率耗散	223 W
包装	*
反向恢复时间(trr)	85ns
商标	ON Semiconductor
在25C的连续集电极电流	100 A
安装类型	*
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	*
封装/箱体	TO-247
工厂包装数量	30
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
栅极/发射极最大电压	20 V
栅极—射极漏泄电流	200 nA
标准包装	30
电压-集射极击穿（最大值）	600V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100A
系列	NGTB50N60FLWG
输入类型	标准
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	1.65 V